线圈可以看成电感,根据电感两端的电压v与流过电感的电流i的关系式:u=Ldi/dt,我们知道电感电压与电流的变化率成正比。

如果电流是正弦信号,函数sinwt的的微分是coswt,所以电压还是正弦信号,只是相位相差了90度。

对于正弦信号的电流,电感两端的电压不会有瞬间的电压突变,

只有在电感突然断开或者接入时,电流变化很大,电感两端会产生高压,串入电源,对其他设备造成影响。

还有一种是在可控硅,mosfet,igbt控制电源通断时,(比如通过可控硅对电机调速,变频器,电源等设备),也会产生高压。

对于这样的高压,电压高,持续时间短,可能就几百ms,需要使用合适的tvs或者压敏电阻对电压进行钳位,吸收高压脉冲的能量,避免高压串入控制电路损坏器件。

另外一方面需要降低电流变化率,对于交流,可能设计过零检测电路,在电压过零时打开负载,在电流过零时关闭负载。

如果是可控硅,可以通过软启动,也就是在启动阶段,通过慢慢增加导通角的方式减少启动冲击电流。