答:国际电子联合会半导体器件型号命名法如表1-4。
表1-4 国际电子联合会半导体器件型号命名法
| 第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 | ||||||
|
用字母表示使
用的材料 | 用字母表示类型及主要特性 |
用数字或字母
加数字表示登记号 |
用字母对同
一型号者分档 | ||||||
| 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 |
| A | 锗材料 | A |
检波、开关和
混频二极管 | M |
封闭磁路中的
霍尔元件 |
三
位 数 字 |
通用半
导体器件 的登记序 号(同一类 型器件使 用同一登 记号) |
A
B C D E … |
同一型
号器件按 某一参数 进行分档 的标志 |
| B | 变容二极管 | P | 光敏元件 | ||||||
| B | 硅材料 | C |
低频小功
率三极管 低频大功 | Q | 发光器件 | ||||
| D |
低频大功
率三极管 | R | 小功率可控硅 | ||||||
| C | 砷化镓 | E | 隧道二极管 | S | 小功率开关管 | ||||
| F |
高频小功
率三极管 | T | 大功率可控硅 |
一
个 字 母 加 两 位 数 字 |
专用半
导体器件 的登记序 号(同一类 型器件使 用同一登 记号) | ||||
| D | 锑化铟 | G |
复合器件及
其他器件 | U | 大功率开关管 | ||||
| H | 磁敏二极管 | X | 倍增二极管 | ||||||
| R |
复合
材料 | K |
开放磁路中
的霍尔元件 | Y | 整流二极管 | ||||
| L |
高频大功
率三极管 | Z |
稳压二极管
即齐纳二极管 | ||||||
示例(命名):
