快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。
采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴
1．性能特点
1）反向恢复时间
反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。
20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，
几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。
2．检测方法
1）测量反向恢复时间
测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式：
trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)
由式(5.3.1)可知，当IRM为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。
2）常规检测方法
在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只C90-02超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同图(a)。将500型万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。
注意事项：
1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
常用的快恢复二极管参数表
型号品牌电流电压时间极性
IN5817GJ1A20V10ns
IN5819GJ1A40V10ns
IN5819MOT1A40V10ns
IN5822MOT3A40V10ns
21D-06FUI3A60V10ns
SBR360GI3A60V10ns
C81-004FUI3A40V10ns
8TQ080IR8A80V10ns单管
MBR1045MOT10A45V10ns单管
MBR1545CTMOT15A45V10ns双管
MBR1654MOT16A45V10ns双管
16CTQ100IR16A100V10ns双管
MBR2035CTMOT20A35V10ns双管
MBR2045CTMOT20A45V10ns双管
MBR2060CTMOT20A60V10ns双管
MBR20100CTIR20A100V10ns双管
025CTQ045IR25A45V10ns双管
30CTQ045IR30A45V10ns双管
C85-009*FUI20A90V10ns双管
D83-004*FUI30A40V10ns双管
D83-009*FUI30A90V10ns双管
MBR4060*IR40A60V10ns双管
MBR30045MOT300A45V10ns
MUR120MOT1A200V35ns
MUR160MOT1A600V35ns
MUR180MOT1A800V35ns
MUR460MOT4A600V35ns
BYV95PHI1.5A1000V250ns
BYV27-50PHI2A55V25ns
BYV927-100PHI2A100V25ns
BYV927-300PHI2A300V25ns
BYW76PHI3A1000V200ns
BYT56GPHI3A600V100ns
BYT56MPHI3A1000V100ns
BYV26CPHI1A600V30ns
BYV26EPHI1A1000V30ns
FR607GI6A1000V200ns
MUR8100MOT8A1000V35ns单管
HFA15TB60IR15A600V35ns单管
HFA25TB60IR25A600V35ns单管
MUR30100HAR30A1000V35ns单管
MUR30120HAR30A1200V35ns单管
MUR1620PHI16A200V35ns双管
MUR1620CTMOT16A200V35ns双管
MUR1620PMOT16A200V35ns双管
MUR1660CTMOT16A600V35ns双管
HFA16TA600IR16A600V35ns双管
MUR3030GI30A300V35ns双管
MUR3040MOT30A400V35ns双管
MUR3060MOT30A600V35ns双管
HFA30TA600IR30A600V35ns双管
MUR20040MOT200A400V35ns双管
B92M-02FUI20A200V35ns单管
C92-02FUI20A200V35ns双管
D92M-02FUI30A200V35ns双管
D92M-03FUI30A300V35ns双管
DSE130-06DSET30A600V35ns双管
DSE160-06DSET60A600V35ns双管
快速恢复二极管，顾名思义，是比普通二极管PN结的单向导通阀门恢复快的二极管！用途也很广泛。
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。
采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴
1．性能特点
1）反向恢复时间
反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。
20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，
几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。
2．检测方法
1）测量反向恢复时间
测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式：
trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)
由式(5.3.1)可知，当IRM为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。
2）常规检测方法
在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只C90-02超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同图(a)。将500型万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。
注意事项：
1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
常用的快恢复二极管参数表
型号品牌电流电压时间极性
IN5817GJ1A20V10ns
IN5819GJ1A40V10ns
IN5819MOT1A40V10ns
IN5822MOT3A40V10ns
21D-06FUI3A60V10ns
SBR360GI3A60V10ns
C81-004FUI3A40V10ns
8TQ080IR8A80V10ns单管
MBR1045MOT10A45V10ns单管
MBR1545CTMOT15A45V10ns双管
MBR1654MOT16A45V10ns双管
16CTQ100IR16A100V10ns双管
MBR2035CTMOT20A35V10ns双管
MBR2045CTMOT20A45V10ns双管
MBR2060CTMOT20A60V10ns双管
MBR20100CTIR20A100V10ns双管
025CTQ045IR25A45V10ns双管
30CTQ045IR30A45V10ns双管
C85-009*FUI20A90V10ns双管
D83-004*FUI30A40V10ns双管
D83-009*FUI30A90V10ns双管
MBR4060*IR40A60V10ns双管
MBR30045MOT300A45V10ns
MUR120MOT1A200V35ns
MUR160MOT1A600V35ns
MUR180MOT1A800V35ns
MUR460MOT4A600V35ns
BYV95PHI1.5A1000V250ns
BYV27-50PHI2A55V25ns
BYV927-100PHI2A100V25ns
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MUR8100MOT8A1000V35ns单管
HFA15TB60IR15A600V35ns单管
HFA25TB60IR25A600V35ns单管
MUR30100HAR30A1000V35ns单管
MUR30120HAR30A1200V35ns单管
MUR1620PHI16A200V35ns双管
MUR1620CTMOT16A200V35ns双管
MUR1620PMOT16A200V35ns双管
MUR1660CTMOT16A600V35ns双管
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MUR3030GI30A300V35ns双管
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B92M-02FUI20A200V35ns单管
C92-02FUI20A200V35ns双管
D92M-02FUI30A200V35ns双管
D92M-03FUI30A300V35ns双管
DSE130-06DSET30A600V35ns双管
DSE160-06DSET60A600V35ns双管
快速恢复二极管，顾名思义，是比普通二极管PN结的单向导通阀门恢复快的二极管！用途也很广泛。
