1. 主板与面板干净的情况下;再继续下面查;2.先有条件正常; 交流220V 直流300V 22V或20V(部份机型) 稳压18V(+ - 误差必须控制在1V 之内)个别机型稳压也有12V , 稳压5V(+ - 误差必须控制在1V之内)。3.加热线盘正常, 并联线盘0.27UF 或O.3UF 或O.33UF ,几个大电阻,二极管,4. IGBT激励驱动对管(8050 8550 换IGBT时候一起换新),并联与IGBT E极G极18V稳压管,正常时候 IGBT +极与- 之间有0.8~1.2V波动脉冲个数信号。5. 电流互感器检测;是否有;0.025V交流电压,6. 负温度电阻NTC(炉面与IGBT)是否正常? 是否有+5V (负温度电阻NTC在常温25℃的情况下应该阻值在46~58K之间,有的电磁炉负温度电阻NTC也用100K。单个负温度电阻NTC在98℃ 开水里 ,它是电阻值是2~3K。美的电磁炉爆损IGBT管与相关电路故障及维修-------李少怡目前,在小家电维修界无论是专业厂家售后维修、或家电维修爱好者,凡从事电磁炉维修行业大家知道;电磁炉维修是最怕爆损IGBT 管故障。时下,每当客户送修电磁炉被确诊为爆损、屡损IGBT 管故障时,人们时常总感到惊讶!有时甚至还感到束手无策的“棘手\"活,所以很**修部就以换板,或其他理由就婉言谢绝拒修了!其实这样处置是另有原因:由于部分维修工,对电磁炉各电路缺乏基础知识的了解及研究,按步就搬进行维修,结果在维修过程中若出现屡损高额昂贵的IGBT 管。那么,不但挣不到报酬,反而还要赔老本,所以对维修屡损、爆损IGBT 管的故障就望而却步。其实,笔者认为,维修该类故障并不难!维修前,首先应分清:是人为因素造成,还是元器件受损,或元器件存在质量问题。检修时,可借助万用表的检测宿小故障潜在范围,“对症下药”,维修电磁炉才能真正做到得心应手。一、人为因素造成。1. 锅具的选用。电磁炉的锅具选用,应该严格按照厂家随机原配的锅具进行使用。厂家在设计电磁炉加热功率电路时,首先根据锅质的“磁阻”大小而定的,不同的锅具“磁阻”会决定电磁炉检锅脉冲个数也不同。如美的电磁炉锅具不锈钢(304)“磁阻”,比不锈铁(430)“磁阻”要大,在同等2000 W 电磁炉上,若将不锈铁(430)锅具放上进行加热是无法达到额定2000 W 功率;反之,将不锈钢(304)锅具放上进行加热,就轻而易举达到2500 W 甚至更高。所以说锅具选用不当,会导致电磁炉出现爆损IGBT 管原因之一。2:LC振荡电路。LC 振荡电路实际上是把电能转换成磁能,由IGBT管、加热线圈盘L 及谐振电容C5 组成高频LC 振荡回路,并通过IGBT 管高频开关导通、截止的作用,来实现控制电磁炉的加热功率。当LC 振荡电路受损时,会致使电磁炉出现爆损IGBT 管、报警不加热及不报警不加热等故障。其维修步骤如下:一台美的2005 年标准通板MC-SH2111 型电磁炉,取下加热线圈盘,将该电磁炉上电待机,用万用表直流电压(50 V)档红表笔(+)接在IGBT 管集电极c 上,黑表笔(-)接在整流桥负极上,将电磁炉上电,此时万用表指针快速从0 V 开始上升至+45 V 后,又回降至+0.6 V 电压,为正常。( 1)谐振电容容量与电压峰值①当谐振电容C5 为(0.3 μF/1200 V)时,测IGBT管集电极c 峰值对地为+45 V 至+0.6 V 电压,正常。② 当谐振电容C5 为0.27 μF/1200 V 时,测IGBT 管集电极c 峰值对地为+42 V 至+0.6 V 电压,正常。若测IGBT 管集电极c 峰值对地0 V 电压时,为谐振电容C5 失效或开路损坏及同步电压比较电路中比较器U2D(LM339)损坏,使13脚输出高电平(正常为+0.1 V)。这时,若接上加热线圈盘上电,会致使电磁炉上电时出现爆损IGBT 管故障。(2)当测IGBT 管集电极c 峰值对地电压始终持续在+225 V 或+45 V 时,为高压供电电路中滤波电容C4(5 μF/275 V)失效或开路。这时,若接上加热线圈盘上电,会致使电磁炉上电加热时出现爆损IGBT 管、报警不加热、不报警不加热、不停地检锅及断续加热等故障。(3)当测IGBT 管集电极c 峰值对地为+25 V 至+0.2 V 电压时(正常为+45 V 至+0.6 V),为谐振电容C5 失效或开路。这时,若接上加热线圈盘上电,会致使电磁炉上电加热时出现爆损IGBT 管、报警不加热及不报警不加热等故障。(4)将电磁炉上电,当测IGBT 管集电极c 对地为+0.6 V 电压,正常,装上加热线圈盘测IGBT 管集电极c 对地为+305 V 电压,正常。这时,若上电开机,放锅加热,会致使电磁炉出现爆损IGBT 管故障,为加热线圈盘损坏所致。(5)将电磁炉上电,当测IGBT 管集电极c 对地为+0.6 V 电压,正常,装上加热线圈盘测IGBT 管集电极c 对地为+305 V 电压,正常。这时,若上电开机,放锅加热,会致使电磁炉出现爆损IGBT 管故障,为IGBT 管控制极c 对地分压贴片电阻R38 开路损坏所致。(6)将电磁炉上电,当测IGBT 管集电极c 对地为+0.6 V 电压,正常,装上加热线圈盘测IGBT 管集电极c 对地为+305 V 电压,正常。这时,若上电开机,放锅加热,会致使电磁炉出现爆损IGBT 管故障,为IGBT管控制极G 限幅稳压二极管Z1 漏电所致。同步电压比较电路。电磁炉加热线圈L 与高频谐振电容C3 是通过IGBT 管高频开关快速导通、截止,形成LC 振荡电路。LC **振荡的半周期时间出现峰值电压,亦是IGBT管截止时间,这时开关脉冲没有到达。这个时间关系不能错位,如峰值脉冲还没有消失,而开关脉冲已提前到来,就会出现很大的导通电流,导致IGBT 管烧坏。因此,必须保证开关脉冲前沿与峰值脉冲后沿相同步。当同步电压比较电路受损时,会致使电磁炉在上电加热时出现爆损IGBT 管、报警不加热、不报警不加热、不停地检锅及断续加热等故障。其维修步骤如下:一台美的MC-SF2012 型电磁炉,通常,笔者在维修电磁炉同步电压比较电路时,为了避免IGBT 管爆管,先取下加热线圈盘,因此,就造成比较电路IC2C(LM339)⑨脚(V+ 同相输入端)对地为0 V 电压(正常为+3.6 V),使比较电路IC2C辊輲讹脚(输出端)为低电平(正常为+18 V)。针对该故障,在IC2C(LM339)⑨脚(V+ 端),用普通电阻1.5 kΩ 与整机+5 V 电压端相联构成同步电压比较电路(V+ 取样电压),提供维修检测同步电压比较电路时使用,并将电磁炉上电待测。用万用表直流电压(10 V)档测同步电压比较电路中IC2C(LM339)⑧脚(V- 反相输入端)对地为+3.4 V电压,正常,若该工作点电压异常,多为取样电阻R18(330 kΩ/2 W)变值或开路损坏,电容C13(2000 pF)漏电或击穿及IC2C(LM339)损坏,会致使电磁炉上电加热时出现报警不加热、不报警不加热等故障。测IC2C(LM339)⑨ 脚(V+ 同相输入端)对地为+3.6 V 电压,正常。若该工作点电压异常,多为取样电阻R19(240 kΩ/2 W)、R20(240 kΩ/2 W)变值或开路,电容C10(470 pF)漏电或击穿及IC2C(LM339)损坏,会致使电磁炉上电加热时出现爆损IGBT 管、报警不加热、不报警不加热、不停地检锅及断续加热等故障。测IC2C(LM339)辊輲讹脚(输出端/OUT)对地为+18 V电压,正常。若该工作点电压异常,多为贴片电阻R39(2 kΩ)变值或开路,贴片二极管D20(1N4148)漏电或击穿,会使电磁炉上电加热时,出现报警不加热的故障。另外,当同步电压比较电路中IC2C(LM339)V- 取样电压与V+ 取样电压相近时(正常为V-、V+ 取样电压应相差+0.2~+0.35 V),否则,会使电磁炉在上电加热时出现不定期爆损IGBT 管及断续加热等故障。当电磁炉出现“屡损IGBT管”故障,维修时:建议将电磁炉主电路板、及控制显示灯板,用“天那水”进行去油污清洗、吹干后再修。1、先将受损元器件更新如:保险管(12A)、整流桥(RS2006)、IGBT管(IH20T120)。2、在电磁炉主电路板电源线L端串联接入220V/40W灯泡后,上电待机,用500型万能表相应直流电压档测高压供电电源对地为+305V电压,正常,测低压供电电源对地为+18V电压、及AN7805输出端对地为+5V电压,正常(在确保整机“三” 电压正常后再修)。3、取下加热线圈盘,用500型万能表直流电压50V档,红表笔接在IGBT管集电极C上、黑表笔接在整流扁桥的负极上,测电磁炉上电时浪涌峰压值以鉴定电磁炉是否为正常。如以下例举:1)美的MC-SH208型上电时,浪涌峰压值为先上升至+45V后降至+0.7V电压,为正常。2)美的MC-SF2012型上电时,浪涌峰压值为先上升至+32V后降至+0.5V电压,为正常。3)美的MC-SY191C型上电时,浪涌峰压值为先上升至+32V后降至+1.2V电压,为正常。4)美的MC-CF202型上电时,浪涌峰压值为先上升至+75V后降至+1.4V电压,为正常。5)美的MC-SY183B型上电时,浪涌峰压值为先上升至+33V后降至+0.6V电压,为正常。6)美的MC-PSY18A型上电时,浪涌峰压值为先上升至+20V后降至+1.4V电压,为正常。若以上工作点异常,多为滤波电容器(5μF/275V)、及谐振电容器(0.27μF/1200V至0.3μF/1200V)、漏电或失效。4、装上加热线圈盘,用500型万能表直流电压10V档,测同步比较电路取样电压V-,应小等于取样电压V+的+0.2V至+0.35V电压,为正常。5、焊下IGBT管控制极G上的限幅稳压二极管(18V),用500型万能表10KΩ档测试是否漏电,建议更新它,否则将造成屡损、爆损IGBT管!6、当电磁炉的+18V低压供电电源与排风电扇电源共用一起时,必须确保排风电扇正常,否则将造成屡损、爆损IGBT管!7、将待修电磁炉装好,准备上电试机;1)当上电开机放锅加热时,若灯泡一闪亮后即灭为整机已修复,方可取下灯泡直接试机!2)当上电开机放锅加热时,若灯泡“全亮”为“故障存在”为此,切不可取下灯泡直接试机!否则将再次出现“爆损IGBT管”故障发生,应继续查找潜在故障,可按以上维修方法继续进行。损坏IGBT管大多因素:??——张占生电磁炉线盘是完成LC振荡的重要器件之一,它是将电能进行储存.及释放。有电场能.转换为磁场能的关键器件。电磁炉.输出功率的大小.效率的高低和线盘有较大的关联。为此对它应有必要的进一步地了解。就这个问题我谈一下我的见解,给朋友们一点启示,供各位朋友以参考和讨论。线盘的参数主要是两个方面:(1)是电感量,(2)是Q值. 而决定这两个参数的是铜线的外径大小、股数.和绕在线盘上的圈数的多少,还有就是线盘上附加的磁条的磁通量.和磁条数量的多少。线盘无磁条时, 要想提高线盘的电感量必须增加线圈的匝数,(股数,和圈数)这样做它不仅浪费了资源和成本的提高,而且导线增长直流电阻增大也不利于输出较大的功率。为此要附加磁条来提高它的电感量。(相同匝数的线盘磁条数量越多电感量越高)查资料得知,当今家用电磁炉线盘磁条有6条,8条,看下图 两种类型,绕线圈数,28,30,32,圈。最为常见的为28圈的较多。现在的电磁炉线盘有两种类型.参数为(1)电感量PSD系列为157uH。(2)PD系列为140uH 新型电磁炉线盘 包括线盘支架、线圈、磁条,线圈包括固定在线盘支架上的外环线圈和内环线圈,磁条包括与线圈对应设置的外圈磁条和内圈磁条,外圈磁条和内圈磁条分别呈放射状分布,其特征在于所述内圈磁条与外圈磁条在放射状分布,这样做使加热更均匀。提高加热效率,降低磁场的外泄,减小了电磁炉工作时对周围环境的影响。关于Q值;是衡量电感器件的主要参数。是指电感器在某一频率的交流电压下工作时,所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高,其损耗越小,效率越高。这个大家应都知道吧!再,磁条是分体的,不是整体的其原因,电磁炉工作时磁条不至于形成涡流,而使磁条产生磁饱和现象,要知道磁条磁饱和后线盘电感量会大大降低,这样会损IGBT管的。有以上所谈可知,电磁炉线盘上的磁条地重要性了,也可以解释我们维修员所提到的不知为什么屡爆IGBT管,但通过换线盘而排除故障的原因所在了。(是有磁条断裂,或磁条老化引起的电感量减小所致)。再就是线盘上的线圈和磁条击穿短路。其实我们在维修电磁炉当中,换炉盘的故障率很低,由于当今家用电磁炉的线盘的参数差别相差不大,为此应急维修互换还是可以的。只不过是电磁炉功率输出略有差异,当然还是换相同参数的为好!。-张占生作图图中1)微动开关图中2)为检测电阻图中3)为功率可调电阻图中4)为电流互感器图中5)LM339 图中6)电风扇图中7)为高压电源虑波电容图中8)为锅底温度控制传感器图中9)为高频谐振电容 绝缘栅双极型晶体管,是由BIT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件)。IGBT 管有三个电极:栅极(或称控制极)G、集电极C 和发射极E。提醒各位同行:IGBT 25N120与HT20R120 不一样 否则爆IGBT 下面图是 阻尼二极管:阻止交流圈。 IGBT 有带阻尼二极管的,请把电磁炉上单个的阻尼管拆下不用。简解IGBT : 绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。 从IGBT的下述特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷,就是于高压大电流工作时,导通电阻大,器件发热严重,输出效率下降。IGBT的特点:1.电流密度大,是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高,栅驱动功率极小, 驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。4.击穿电压高,安全工作区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快,关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us,约为GTR的10%,接近于功率MOSFET,开关频率直达100KHz,开关损耗仅为GTR的30%。IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体。是极佳的高速高压半导体功率器件。目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下: (1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。(2) SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。 (3) GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120,代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(4) GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321,配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。(5) GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101,代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(6) GT60M303 ----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A, 内部带阻尼二极管。