高性能带隙基准电压源的总体电路图 一种电压基准源制造技术,带隙基准电压源专利_技高网

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一种电压基准源制造技术,带隙基准电压源专利_技高网

如下图所示为一款高性能带隙基准电压源的总体电路图。本电路采用Chartered0.35靘CMOS工艺实现，采用3.3V电源电压，在-40~100℃范围内，达到低于6ppm/℃的温度系数，在1kHz和27℃下，电源抑制比达到82dB。

需要指出的是，为了避免零电流工作状态，保证偏置基准源进入正常工作，增加了自启动电路。启动电路的工作过程为：在刚启动时，MP7、MN5导通，对电容C1分别实现充、放电。随着电源电压的逐步建立，电容C1上电位逐渐提高，使MP7逐渐脱离饱和趋于截止，直至自启动电路关闭。在启动电路中，各MOS管宽长比的选择要保证启动过程的顺利进行，同时还应注意启动过程瞬间电流不能过大，启动之后，启动电路不对电流基准源电路稳态工作造成任何影响。

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