今天小编要和大家分享的是偏压电路相关信息,接下来我将从自给偏压电路的工作原理,cn100563096c_一种具适应性的线性化偏压电路有效这几个方面来介绍。

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偏压电路相关技术文章自给偏压电路的工作原理

自给偏压电路

如图,为自给偏压电路。电容对Rs起旁路作用——源极旁路电容。

场效应管特点

 

自给偏压电路

注:增强型场效应管(MOSFET)只有G—S间电压先达到某个开启电压VT时才有ID,所以自偏压不适用于增强型MOSFET。

分析:当Is流过Rs时产生Vs压降对地是负值。所以,VGS=VG-VS=-ISRS=-IDRS

问题是:VGS决定于ID而ID又随VGS变化而变化,如何能确定ID、VGS之值呢?下面内容介绍两种解法。

图解法

步骤:

(1)作直流负载线(从输出回手)

直流负载线于输出特性曲线的不同VGS的交点,即管子内部方程与输出回路方程的联立解,表明电路中ID,VDS,VGS的数值必在这些交点上。

(2)利用直流负载线上的点作转移特性曲线。

(3)定静态工作点Q(从G极回路入手)因Q还应满足输入回路,所以作输入回路的直流负载线VGS=-IDRS,如图。

(4)代入数据,得Q:VGS,VDS,ID

场效应管特点

 

计算法

计算法采用下列公式求解:

场效应管特点

场效应管特点

式子的IDSS称为饱和电流,即为VGS=0时ID的值;VP称为夹断电压,当VGS=VP时,漏极电流ID为0。

让我们来看一个例子,电路如图.

已知:VP=-4V ,IDSS=2mA。代入上述两个公式得:

场效应管特点

场效应管特点

求解此两方程,解得:ID1=0.82mA,ID2=0.30mA

因为-ID1RS< VP,因而ID1=0.82mA不合题意,舍去,故静态漏极电流IDQ为

IDQ=0.30mA;

静态管压降VGSQ、VDSQ分别为

场效应管特点

场效应管特点

 

 

JFET

MOSFET

N

 

场效应管特点

场效应管特点

场效应管特点

P

场效应管特点

场效应管特点

场效应管特点

场效应管的特点:

1.场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流,应此对于信号源额定电流极小的情况下,常选用场效应管。

2.场效应管是多子导电,晶体管是两种载流子参与导电。但少子受环境影响明显。

3.场效应管FET和晶体管BJT一样具有放大作用,而且这两种放大元件间存在着电极对应关系G-b,S-e,D-c。因此根据BJT电路,即可得到与之对应的FET放大电路。但不能简单地加以替换,否则有时电路不能正常工作。场效应除作放大器件及可控开关外还可作压控可变线性电阻使用。

4.场效应管S极和D极是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管栅源电压可正可负使用比晶体三极管灵活。

5.场效应管组成放大电路时与晶体管一样,必须选择合适的静态工作点,栅极必须有合适的偏压,但不出现偏流,对不同类型场效应管对偏压的极性要求不同,特列如下:

类型VGSVDS类型VGSVDS
N沟道JFETP沟道JFET
N沟道EMOSP沟道EMOS
N沟道DMOS正/负P沟道DMOS正/负

注:JFET表示结型场效应管,DMOS表示耗尽型场效应管;EMOS表示增强型场效应管。

关于偏压电路就介绍完了,您有什么想法可以联系小编。