3DD15是国产的大功率低频硅三极管，其功率为50W，Icm为5A，耐压值从几十伏到上百伏不等（譬如，3DD15D的耐压值为200V），这种管子在一些老式的稳压电源及逆变器电路中较常用，现在上述产品中很少使用这种管子。由于3DD15的外形封装、引脚排列及驱动电路与MOS场效应管都不太一样，故一般不能直接用MOS场效应管代替3DD15。
两个3DD15构成的简易逆变升压电路。
由于3DD15为双极型三极管，属于电流驱动器件，而MOS场效应管为单极型电压驱动器件，它们的驱动电路不太一样，即使不考虑外形封装及引脚排列，直接用MOS场效应管代替上图中的两个3DD15三极管，电路将无法工作。
不过，像下图所示的这种采用IC作为振荡电路，外接功率管的逆变电路，若调整一下管子的引脚，亦可以用MOS场效应管代替3DD15。
用555电路构成的逆变升压电路。
上图中，555电路接成一个自激多谐振荡器，其③脚输出的振荡信号经3DD15放大后，驱动升压变压器的初级线圈，这样在变压器的次级输出的便是交流高压。图中这个3DD15完全可以换成IRF3205这类N沟道大功率MOS场效应管，电路也不需要作什么调整，唯一需要注意的是IRF3205的引脚不要接错。
3DD15和IRF3205的外形。
上图中的IRF3205是现在逆变器电路中常用的大功率N沟道MOS场效应管，其耐压值为55V，漏极电流可达110A。这种场效应管不论是饱和压降还是高频开关性能皆显著优于3DD15这种低频硅三极管。
