BT169D是声光控开关里面常用的一款小功率单向可控硅，其耐压值为400V，工作电流为0.8A，控制极触发电流在数十μA左右。由于这种单向可控硅导通后的压降较大（＞0.5V），若将之用于4.5V低压电路中去控制负载的通断，电压损耗较大，并且关断可控硅也不方便，故不推荐采用BT169D来控制负载。
TO-92封装的BT169D单向可控硅。
在4.5V电路中，想控制负载通断，采用三极管或场效应管更合适一些。若负载的电流在百十mA左右，采用8050三极管来控制即可。若负载电流在1A以上，采用MOS场效应管更好一些。下面介绍一款采用MOS场效应管构成的控制电路。
MOS场效应管构成的电子开关控制电路。
上图中的RL为负载，SI2300是一款N沟道贴片MOS场效应管，其耐压值为20V，漏极电流为3.8A，功率为1.25W，导通电阻Rds只有32mΩ（VGS=4.5V）。当开关K拨在①脚时，SI2300处于截止状态；当K拨在②脚时，SI2300栅极与4.5V电压连接，管子导通，负载RL的下端通过场效应管的漏源两极与4.5V电源的负极连接，使负载工作。由于SI2300的Rds仅有32mΩ，假设负载电流为1A，SI2300漏源两极之间的饱和压降只有32mV，这个压降要远小于BT169D的压降。
贴片封装的SI2300场效应管。
上图为SOT23封装的N沟道MOS场效应管。由于这种封装体积很小，一般采用丝印来表示其型号。SI2300的封装丝印有两种，即A0SHB和2300。
