用什么控制欠压过压保护好 用什么控制核反应速度

用芯片控制欠压过压保护，个人觉得没有必要，我认为还是用MOS，稳压二极管和三级来控制比较高。

原因有二

一、芯片需要稳定的供电电压，需要另外的供电电路。增加开天电源或者三端稳压器。

二、用常见的二极管，MOS管，三级管，可替代性强。利与采购。

下列是原理图，标注有宽电压输入经过电容共模电感，TVS管。这是常见的输入电源处理，当然也会有防反接保护，D9的作用是保证MOS管GS电压不会太高，一般最高25伏左右，临界导通电压4伏，也就是说9.1V肯定处于饱和导通状态。

一，当电压由零伏上升时到达12V左右，Q2导通，D9导通导致Q5导通电源打开了，当电压一直上升，Q2和D9状态不变，然而当D6随着电压上升，导通电流达到Q4饱和电流，Q5的导通偏置电压拉低，MOS管关闭。电源没有输出

另外两幅图是二极管电流和稳压管两端电压曲线图。