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U盘芯片简介 U盘芯片闪存产品现状

2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机,都必须要使用SLC或MLC芯片。

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简介

闪存芯片分为三类

SLC、MLC和TLC芯片

什么是SLC

SLC英文全称(SingleLevelCell——SLC)即单层式储存。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。

SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于Siliconefficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(processenhancements),才能向上提升SLC制程技术。

什么是MLC

MLC英文全称(MultiLevelCell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。

英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating

Gate(闪存存储单元中存放电荷的部分),然后利用不同电位(Level)的电荷,通过内存
储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存两位数据,数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度。

与SLC比较MLC的优势

签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主,我们多了解下SLC和MLC储存,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势。

与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大。如果经过改进,MLC的读写性能应该还可以进一步提升。

与SLC比较MLC的缺点

MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以写入10万次,而MLC架构只能承受约1万次的写入。

其次就是存取速度慢,在目前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。

再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。

虽然与SLC相比,MLC缺点很多,但在单颗芯片容量方面,目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势,能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。

U盘中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别

SLC=Single-LevelCell,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC3倍以上的价格),约10万次擦写寿命

MLC=Multi-LevelCell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命

TLC=Trinary-LevelCell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次。

目前,安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度:采用H2testwv1.4测试,三星MLC写入速度:4.28-5.59MByte/s,读取速度:12.2-12.9MByte/s。三星SLC写入速度:8.5MByte/s,读取速度:14.3MByte/s。

需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大。

面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异

SLC利用正、负两种电荷一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命。

闪存产品现状

闪存产品寿命越来越短,现在市场上已经有TLC闪存做的产品了

鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大

强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品

许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的Mp3随身听来说,是买SLC还是MLC闪存芯片的呢?在这里先告诉大家,如果你对容量要求不高,但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高,那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多,所以目前2G以上的大容量,低价格的Mp3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐,但是其固有的缺点,也不得不让我们考虑一番。

关于U盘芯片,电子元器件资料就介绍完了,您有什么想法可以联系小编。