今天小编要和大家分享的是U盘芯片简介 U盘芯片闪存产品现状，接下来我将从简介，闪存产品现状，这几个方面来介绍。
2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片。
简介
闪存芯片分为三类
SLC、MLC和TLC芯片
什么是SLC
SLC英文全称(SingleLevelCell——SLC)即单层式储存。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Siliconefficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(processenhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC
MLC英文全称(MultiLevelCell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。
英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate(闪存存储单元中存放电荷的部分)，然后利用不同电位(Level)的电荷，通过内存与SLC比较MLC的优势
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。
与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。
与SLC比较MLC的缺点
MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。
其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。
再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。
虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。
U盘中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别
SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵(约MLC3倍以上的价格)，约10万次擦写寿命
MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testwv1.4测试，三星MLC写入速度:4.28-5.59MByte/s，读取速度:12.2-12.9MByte/s。三星SLC写入速度:8.5MByte/s，读取速度:14.3MByte/s。
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。
面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC利用正、负两种电荷一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。
闪存产品现状
闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的Mp3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢?在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的Mp3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。
关于U盘芯片,电子元器件资料就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。
