今天小编要和大家分享的是vmos管简介 vmos管检测方法，接下来我将从简介，检测方法，注意事项，场效应管与晶体管的比较，这几个方面来介绍。
VMOS管全称V-groove metal-oxide semiconductor，或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。
简介
VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右)，还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A～100A)、输出功率高(1～250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构;第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区(源极S)出发，经过p沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
检测方法
(1)判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其它两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
(2)判定源极S、漏极D
在源-漏之间有一个pN结，因此根据pN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
(3)测量漏-源通态电阻RDS(on)
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFpC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大于0.58W(典型值)。
(4)检查跨导
将万用表置于R×1k(或R×100)档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项
(1)VMOS管亦分N沟道管与p沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于p沟道管，测量时应交换表笔的位置。
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、p沟道管各三只，构成三相桥式结构。
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，pDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4(mm)的散热器后，最大功率才能达到30W。
场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
(2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时，先焊源极;在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全;在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。
因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
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