今天小编要和大家分享的是势垒电容简介 势垒电容PN结测量，接下来我将从简介，PN结势垒电容的测量，应用，这几个方面来介绍。
在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。
简介
势垒电容(barriercapacitance)
在积累空间电荷的势垒区，当pN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。
势垒电容具有非线性，它与结面积、耗尽层宽度、半导体的介电常数及外加电压有关。
势垒电容是二极管的两极间的等效电容组成部分之一，另一部分是扩散电容。
二极管的电容效应在交流信号作用下才会表现出来。
势垒电容在正偏和反偏时均不能忽略。而反向偏置时，由于少数载流子数目很少，可忽略扩散电容。
补充说明：
势垒电容是p-n结所具有的一种电容，即是p-n结空间电荷区(势垒区)的电容;由于势垒区中存在较强的电场，其中的载流子基本上都被驱赶出去了——耗尽，则势垒区可近似为耗尽层，故势垒电容往往也称为耗尽层电容。
耗尽层电容相当于极板间距为p-n结耗尽层厚度(W)的平板电容，它与外加电压V有关(正向电压升高时，W减薄，电容增大;反向电压升高时，W增厚，电容减小)。因为dV≈W·dE=W·(dQ/ε)，所以耗尽层电容为Cj=dQ/dV=ε/W。对于单边突变p+-n结，有Cj=(qεND/2Vbi)1/2;对于线性缓变p-n结，有Cj=(qaε2/12Vbi)1/3。势垒电容是一种与电压有关的非线性电容，其电容的大小与p-n结面积、半导体介电常数和外加电压有关。当在p-n结正偏时，因有大量的载流子通过势垒区，耗尽层近似不再成立，则通常的计算公式也不再适用;这时一般可近似认为：正偏时的势垒电容等于0偏时的势垒电容的4倍。不过，实际上p-n结在较大正偏时所表现出的电容，主要不是势垒电容，而往往是所谓扩散电容。
值得注意的是，势垒电容是相应于多数载流子电荷变化的一种电容效应，因此势垒电容不管是在低频、还是高频下都将起到很大的作用(与此相反，扩散电容是相应于少数载流子电荷变化的一种电容效应，故在高频下不起作用)。实际上，半导体器件的最高工作频率往往就决定于势垒电容。
pN结势垒电容的测量
当加在结两端的电压发生变化时，一方面使结势垒度发生变化，引起了势垒区内空间电荷的变化，这相当于对电容的充放电，因为它是势垒度的变化引起电容量的变化的，所以我们用势垒电容CT来表示这种作用;另一方面也使注入到p区的电子和注入到n区空穴数目发生变化，引起p区和n区的载流子浓度梯度的变化。为维持电中性条件，多数载流子也要作相应的变化，相当于载流子在扩散区中的“充”和“放”，就如同电容的充放电一样。因为它是在扩散去内载流自变化引起的.故称为扩散电容，用CD表示。p-N结电容包括势垒电容和扩散电容两部分：C=CT+CD
当结两端的外加电时为负(即n区为正，p区接负)时，由于p区、n区的少数载流子很少，负电压的变化并不引起p区、n区中电荷有多大的变化，所以扩散电容很小，相对势垒电容来讲，扩散电容可以忽略。即：
C=CT+CD≈CT
所以，在外加负偏压的条件下测得的p-n结电容认为是p-n结势垒电容。
应用
在集成电路中，一般利用pN结的势垒电容，即让pN结反偏，只是改变电压的大小，而不改变极性。
根据普通二极管内部pN结结电容能随外加反向电压的变化而变化。
变容二级管用途：用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管，在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电流上，实现低频率信号调制到高频信号上，并发射出去。
变容二级管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：
1)发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。
2)变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方，被对方接收后产生失真。
3)出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二级管。
关于势垒电容,电子元器件资料就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。
