瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器 功率器件技术文章

HIP221x驱动器专为严苛工作条件下的可靠运行而设计，其高速、高压HS引脚可承受高达-10V的持续电压，并以50V/ns速度转换。全面的欠压保护与HIP2210的可编程防击穿保护协同工作，以确保其驱动的MOSFET不会因电源或其它外部故障而损坏。瑞萨HIP221x驱动器具有强大的3A驱动拉电流和4A驱动灌电流，以及极快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，是高频开关应用的最佳解决方案。HIP2210和HIP2211两款产品均旨在搭配瑞萨先进的DC/DC及无刷电机驱动系统中的微控制器而设计。

瑞萨电子工业与通信事业部副总裁Philip Chesley表示：“创新的HIP221x延续了我们在Harris智能电源（HIP）半桥驱动器研发领域25年行业领先的辉煌历史。强大且稳健的抗噪性、超低传输延迟及高系统效率是我们的客户对整个HIP半桥MOSFET驱动器系列所依赖的关键特性。”