图 3：FoM 曲线， 1200V/450A SiC 功率模块（CXTPLA3SA12450AA）的相电流（Arms）与开关频率（条件：VDC= 600V，Tc = 90℃，Tj 《175℃，D = 50％），和预测未来的1200V/600A 模块（CXT-PLA3SA12600AA，正在开发中）相比较
三相 SiC 栅极驱动器
CXT-PLA3SA12450AA 三相栅极驱动器的设计，源自已经得到充分测试验证的 CMT-TIT8243 ［1，2］ 和 CMT-TIT0697［3］ 单相栅极驱动器板，分别设计用于 62mm 1200V/300A 和快 速 开 关 XM3 1200V/450A SiC MOSFET 功 率 模 块（ 请 参见图 4）。三相栅极驱动器经过优化，可以直接安装在 CXTPLA3SA12450 功率模块的顶部，这归功于更为紧凑的变压器设计或略微调整的爬电距离设定。CXT-PLA3SA12450AA 栅极驱动器还包括直流总线电压监视功能。
对于 CMT-TIT8243 和 CMT-TIT0697，栅极驱动器板的最高工作环境温度为 125℃。板上所有的元器件均经过精心选择和确认，以保证在此温度下的运行。这些设计还依靠 CISSOID的高温栅极驱动器芯片组 ［4、5］ 和针对低寄生电容（典型值为10pF）进行了优化的电源变压器模块，以最大程度地降低高 dv/dt 和高工作温度下的共模反射电流。
