新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247 封装的新器件，导通电阻RDS（on）降低到仅 41mΩ（最大值，25℃的典型值为 35mΩ），同时具有高的栅级阀值电压和低反向导通电压。CCPAK封装的新器件，将导通电阻值进一步降低到39mΩ（最大值，25℃的典型值为 33mΩ）。两种封装的新器件均符合 AEC-Q101 标准，可满足汽车应用的要求。
Nexperia氮化镓战略营销总监 Dilder Chowdhury表示：“客户需要导通电阻RDS（on）为30~40mΩ的650V新器件，以便实现经济高效的高功率转换。相关的应用包括电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器和发动机牵引逆变器; 以及1.5~5kW钛金级的工业电源，比如：机架装配的电信设备、5G设备和数据中心相关设备。Nexperia持续投资氮化镓开发，并采用新技术扩充产品组合。首先为功率模块制造商提供了传统的 TO-247封装器件和裸芯片，并随后提供我们高性能的CCPAK 贴片封装的器件。”
