在降压拓扑中，漏能通过二极管D7在场效应管断开期间传递到输出端。这样可以减少组件数量并提高效率。
另一个区别是每个磁性元件的设计和传导损耗。因为一个倒置降压只有一个绕组来传输功率，所以所有的功率传输电流都通过它，这就提供了良好的铜利用率。反激则不具有那么好的铜利用率。当场效应管接通时，电流通过一次绕组而不是二次绕组。当场效应管断开时，电流通过二次绕组而不是一次绕组。因此，更多的能量储存在变压器中，并且在反激设计中利用更多的铜来提供相同的输出功率。
图4比较了具有相同输入和输出规格的降压电感器和反激变压器的一次和二次绕组的电流波形。降压电感器波形在左侧的单个蓝色框中，反激的一次绕组和二次绕组在右侧的两个红色框中。
对于每个波形，传导损耗计算为均方根电流平方乘以绕组电阻。因为降压只有一个绕组，所以磁场中的总传导损耗就是一个绕组的损耗。然而，反激的总传导损耗是一次绕组和二次绕组损耗之和。此外，反激中磁场的物理尺寸将比在类似功率水平下的倒置降压设计更大。任一组件的储能等于½ L × IPK2。
