据张松刚分析，传统光耦合隔离的方式传输延时时间长（150—200纳秒），而iCoupler隔离式栅极驱动器传输延时在50—60个纳秒左右，从而大降低减小了传输延迟，并且传输延时一致性更好，更低的传输延迟和延时一致性对于提高开关频率和效率具有重要作用。此外，隔离栅极驱动器的死区时间也是关键特性之一，iCoupler隔离式栅极驱动器更低的死区时间将有效降低损耗。对于大规模部署的充电桩来说，即使零点几个百分点效率提升都具有很大经济和社会效益。
张松刚以ADI最新的ADuM4136为例分析了iCoupler隔离式栅极驱动器的特性：可实现150kV/µs的共模瞬变抗扰度（CMTI），以数百kHz的开关频率驱动SiC MOSFET；加上去饱和保护等快速故障管理功能，设计人员可以正确驱动高达1200V的单个或并联SiC MOSFET。“iCoupler磁隔离的固有优势使得这些特性明显优于光隔离栅极驱动器，可以确保充电机在不牺牲效率的情况下，在功率变换器中实现超高的功率密度。”张松刚指出。
