使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率 功率器件技术文章

最后，无论是4或8 kHz的切换频率，两种负载状况的功率耗损减少都落在50%范围以内。

从这些结果可以看出，这样做就能达成更高的能源效率，减少散热片的散热需求，对重量、体积和成本来说也都有好处。

表3总结了整个反相器相关功率耗损的模拟结果（作业点100%），以及为了让两种元件接面温度维持在110 °C所必需的相关散热片热电阻条件。

表3：模拟结果概况（作业点100%）

在模拟所设定的条件下，当8 kHz时Rth会从硅基IGBT的0.22 °C/W降到碳化硅MOSFET的0.09 °C/W。大幅减少代表散热片可减容5:1（就强制对流型态的产品而言），对系统体积、重量和成本有明显好处。在4 kHz的状况下，Rth会从0.35降到0.17 °C/W，相当于4:1容减。