Diodes推出新一代首款独立 MOSFET 功率器件技术文章

PowerDI® 3333-8 D 型封装的 3D 结构有助增加整体功率效率，且高电压与额定电流大幅扩大其应用范围。完全接地垫片设计可带来良好的散热效能，降低整个解决方案的运作温度，还能善用高切换速度及其效率，免去大型电感器和电容器的需求。

DMN3012LEG 整合两个 N 信道的增强模式 MOSFET，非常适合用于同步降压转换器的设计。此组件使用横向扩散 MOS (LDMOS) 制程，结合快速导通和间断动作，Q1 延迟时间仅 5.1ns 和 6.4ns，Q2 仅 4.4ns 和 12.4ns，且 Q1 最大导通电阻 (RDS(ON)) 在 Vgs=5V 时仅 12mΩ，Q2 在 Vgs=5V 时则是 6mΩ。若闸源极电压为 10V，DMN3012LEG 可接受 30V 汲源极电压，同时支持 5V 闸极驱动。