POI是通过Soitec专利技术150mm Smart Cut打造的创新型优化衬底。以高阻硅作为基底、上覆氧化埋层,并以一层极薄且均匀的单晶压电层覆盖顶部。考虑到要实现高速数据传输,4G和5G网络需要使用更多的频带。因此,智能手机必须集成更大量且性能更佳的滤波器,以确保信号完整性及通信可靠性。例如,4G时代滤波器数量约在60-80个,5G时代滤波器数量将达到120-150个,而基于POI优化衬底,新型SAW滤波器能够提供内置温度补偿,并可实现在单芯片上集成多个滤波器。

来自Yole Development的数据显示,随着5G市场的快速兴起,射频滤波器的市场规模有望从2018年的31亿美元快速上升到2025年的51亿美元。

射频(RF)滤波器有两种主要技术,一项是SAW(声表面波),另一项是体声波(BAW)。其中,温度补偿型SAW(TC-SAW)滤波技术一般用于低频段和中频段,BAW多用于中频段和高频段,而在超高频段中就比较复杂,会采用包括LTCC、XBAR、BAW、集成被动器件(IPD, Integrated Passive Device)在内的多种技术技术。

Soite和高通、Inc合作,共同研发4G/5G ultraSAW射频滤波器

Soitec滤波器业务经理Christophe Didier的看法是,SAW对温度过于敏感,而温度变化(即频率温度系数,TCF)会影响频率,但可以通过“TC-SAW(温度补偿型SAW)+温度补偿层”的做法加以改善;BAW是高端滤波器技术,缺点是实现过程特别复杂,需要很多步骤才能实现一个声学上需要的“腔”。