功放热耗占RRU总热耗的60%～70%，因此高效率是功放设计的最重要目标。功放效率的提升依托于功放器件效率提升、高效率电路架构设计2个方面。在功放器件方面，从2010—2017年末，主流功放厂家的横向扩散金属氧化半导体（LDMOS）功放器件经过了3—4代的升级，其中高频段（1.8GHz以上）上GaN已逐步取代LDMOS成为高效器件的首选。在高效率电路架构方面，目前主流商用的高效率电路架构为Doherty路线，在研发的为包络跟踪（ET）路线、Outphasing路线。中兴通讯从2008年开始投入高效率功放自研，已经过了8代研发，形成了独有的ZM、DM技术，使得RRU的功放效率始终保持在业界领先水平。在对产品的贡献方面，以正交频分多址（FDD）两发RRU为例，产品3代升级整机热耗降幅超过30%，其中PA热耗降幅超过80%。
随着运营商带宽的提升、高频段大带宽的主力商用，以及天面单元数的降低，功放的带宽已从单频30～75MHz到多频，再到5G单频的200～400MHz并持续增加。功放对应采用宽带电路方案、超宽带射频（UBR）电路方案来解决，同时GaN功放管的大宽带特性也很好地支持了功放带宽的持续增加［3］。
为获取更多的可用频谱资源，运营商频谱逐步向高频拓展，对应功放要支持的频段也逐步拓展。主力商用的频段，也已从早期的900/1800/2100MHz，发展到2.6GHz，及5G低频的3.5/4.5GHz，再发展到5G高频的28/39GHz。在器件方向GaN功放管的高频特性很好地支持了功放频段向高频的拓展。
2.3 算法关键技术创新
射频算法主要包括削峰（CFR）、数字预失真（DPD）和无源互调抵消（PIMC）等多个关键技术方向。其中削峰、数字预失真方向的演进路线见图6。
