今天小编要和大家分享的是RF,无线相关信息，接下来我将从射频领域以后主要有哪一些材料，00 01这几个方面来介绍。
RF,无线相关技术文章射频领域以后主要有哪一些材料
半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅 （Si）、锗 （Ge） 为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓 （GaAs）、磷化铟 （InP） 等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓 （GaN）、碳化硅 （SiC）、硒化锌 （ZnSe） 等宽带半导体原料为主。
第三代半导体原料具有较大的带宽宽度，较高的击穿电压 （breakdown voltage），耐压与耐高温性能良好，因此更适用于制造高频、高温、大功率的射频组件。
从第二代半导体原料开始出现化合物，这些化合物凭借优异性能在半导体领域中取得广泛应用。
如 GaAs 在高功率传输领域具有优异的物理性能优势，广泛应用于手机、无线局域网络、光纤通讯、卫星通讯、卫星定位等领域。
GaN 则具有低导通损耗、高电流密度等优势，可显着减少电力损耗和散热负载。可应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域。
SiC 因其在高温、高压、高频等条件下的优异性能，在交流 - 直流转换器等电源转换装置中得以大量应用。
明日之星 -GaN
GaN 是未来最具增长潜力的化合物半导体，与 GaAs 和 InP 等高频工艺相比，GaN 制成组件输出的功率更大；与 LDMOS 和 SiC 等功率工艺相比，GaN 的频率特性更好。
大多数 Sub 6GHz 的蜂窝网络都将采用 GaN 组件，因为 LDMOS 无法承受如此高的频率，而 GaAs 对于高功率应用又非理想之选。
