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RF,无线相关技术文章射频微波技术创新可推动5g与自动驾驶发展cmos传感器

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当今的半导体世界是一个以“尺寸论英雄”的时代——先进制造工艺在数年之间迅速从16nm、10nm到7nm,今天5nm制造工艺呼之欲出——媒体报道称iPhone 12将使用5nm。而同样是最近,全球半导体芯片代工绝对的标杆企业台积电更宣称2nm工艺将在2024年投产。在摩尔定律被业界质疑将穷途末路的时候,低位纳米时代却依然发挥着神奇的魔力。

但在另外一个领域,这种工艺的竞争似乎是另外一番景象——在模拟半导体制造技术上,显然是在另外一个竞争的维度,大部分新品鲜少提及工艺,而公开提及领先工艺的,28nm工艺大概是业界当前的一个关键节点,特别是在射频技术领域,又特别是模拟技术领头羊ADI公司。该公司在前不久宣布再次推出基于其28nm CMOS的新型AD9081/2 MxFE 平台,在该公司的新产品公告中指出该平台允许制造商在与单频段无线电相同的占板面积上安装多频段无线电,使当今4G LTE 基站的通话容量提高3 倍。

事实上,ADI早在两年前就宣布推出自动驾驶领域的技术平台Drive360,强调了首家以先进的28nm CMOS工艺为基础提供汽车RADAR技术的公司。而在同年5月推出28纳米高速CMOS模数转换器AD9208,瞄准下一波宽带软件定义系统,并同期推出瞄准4G/5G多频段无线通信基站和2 GHz E-band微波点对点回传平台千兆赫兹带宽应用的需求28纳米高速数模转换器系列AD9172。