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测量仪表相关技术文章哪些方法可以更快使得新型测试技术和仪器上手
随着半导体制造商向65纳米技术转移并展望更小节点，严峻的测试挑战也开始浮出水面。现在，工艺开发工程师们必须放弃由硅、二氧化硅、多晶硅和铝材料构成的良性世界，而将自己置于由硅锗（SiGe）、绝缘体上硅（SOI）、亚硝酸铪（HfNO2）、金属栅、低k和铜材料构成的充满挑战的世界中。这些新材料对工艺和器件特性提出了新的测试要求，其中一些关键的应用包括先进的高k栅测试、晶圆上射频s参数测试、SOI基底的等温直流和射频测试，以及低至千万亿分之一安培（fA）水平的泄漏电流测试。
因此，传统的直流测试方法已经无法再为器件的性能和可靠性提供准确的模型。现在，从建模到制造整个过程都需要进行正确的RF和脉冲测试，包括确定栅介质可靠性、高频电容值、铜过孔可靠性和RF性能等测试。各种测试方法正在改变I-V特性、RF电容-电压测试、s参数、NBTI、TDDB、 HCI、SILC和电荷泵（CP）。
这些新的方法呼唤能够以更快速度完成测试的新型仪器和软件。同时，还必须以某种方式建立测试，以缩短产品上市时间并确保其长期可靠性。
应该采用的方式
* 应该更多地进行晶圆上（on-wafer）测量，以便在前端线（FEOL光阻去除创新解决方案问世，可缩短工艺流程“ target=_blank＞FEOL）工艺中揭示问题。一个关键的FEOL评估任务就是建立与特定工艺有关的产品可靠性，特别是对那些包含新异材料的工艺。
