现代超薄栅MOSFET容易受到电子隧道的影响。为检定其电容和电压（CV）行为特点，测量频率必需超过几兆赫。但是，高频CV （HFCV）及实现检定必需的射频频率CV （RFCV）测量技术之间相互抵触。Agilent 4075和4076同时支持HFCV （4294A）仪器和RFCV （ENA/PNA）仪器，使得用户能够选择最佳方法，满足自己的工艺技术和生产测试需求。
Agilent 4075和4076都把高速电容测量单元（CMU）集成到测试头中。这一功能可以在1 kHz - 2 MHz频率范围内，对层间/层内氧化物非常快速地进行电容测量，从而改善吞吐量，降低测试成本。
通信应用和高速逻辑应用要求深入检定高速半导体器件的性能。Agilent 4075与4076皆支持利用PNA进行RF的S参数测试功能，相对于目前市面上使用VNA的解决方案，以PNA为主的RF解决方案可提供更高的产出速度。
诸如SOI或高k等最新的先进技术需要超短的脉冲测试能力，以防止产生有害的热量或电荷敏感效应。然而，生产测试系统的脉冲式测量能力却只限于测量微秒的范围。Agilent 4075与4076可提供短至10纳秒的超短脉冲式IV测量能力，能有效地测量SOI或高k晶体管等对热或电荷高度敏感组件的特性。
Agilent 4076还为生产测试提供了实验室测试功能。高级工艺通常要求在生产中精确测量各种参数，如MOSFET低于门限的泄漏电流和铜（Cu）金属Van der Paw电阻。这些测量要求异常精确的电流和电压测量分辨率，而此前只有实验室中才能提供这种分辨率。
Agilent 4075和4076所有的RF、HFCV和超短脉冲式IV测量功能都可以在整个新设计的直接对接接口上使用。这种直接对接的设计可通过自动化的探针卡更换机制，让使用者轻易地控制和变换探针卡，而且这种RF直接对接的方式也不会减少任何的DC针脚。
