3、AB端口分别并联热敏电阻、TVS到地，同时A，B之间并联TVS器件的保护方案。
图3中D1、D2、D3是TVS器件，PPTC1、PPTC2是热敏电阻。当浪涌电压、ESD电流进入时，D1，D2、D3首先触发而将A，B端口上的电压箝位到地，AB端口之间的电压箝位到安全范围内，此时电流迅速增大导致热敏电阻PPTC1、PPTC2急剧升温而形成断路，直到浪涌、静电或故障消除。
图3防护方案3
4、AB之间并联TVS，再串联热敏电阻，再并联压敏电阻到地的三级防护方案。
如图4所示，MF1、MF2是热敏电阻，CK是压敏电压。压敏电阻属于电压限幅型，压敏电阻的过流值与其瞬间内阻的乘积，即为残压。残压不能超过被保护器件的允许耐压，该器件在一定温度下，导电性能随电压的增加而急剧增大，没有过压时呈高阻值状态，一旦过电压，立即将电压限制到一定值，其阻抗突变为低值。它的优点是通流容量大，残压较低，反应时间较快（≤50ns），无跟随电流（续流）;它的缺点是漏电流较大，老化速度相对较快。
图4防护方案4
芯力特电子科技有限公司推出型号为SIT485E的RS485芯片，该产品不仅具有失效安全、热插拔、过温保护、控制与输入端口迟滞、超低静态功耗等特点，而且具有优秀的抗雷击浪涌能力、高压静电释放能力，其接触放电能力与ESDHBM标准均达到±15KV水平，可以完全替代美信、TI、ADI等RS485芯片，SIT485E收发器有助于降低电表成本，提高可靠性，简化设计，实现电表的小型化。
同时，芯力特公司有非常优秀的AD/DA设计能力，在硅片上成功研发过多种AD，DA芯片与IP：
1）高精度高速10bit100MHzpipeline/12bit60MHzpipeline的ADC，已经在0.18um/0.13umCMOS工艺验证;
2）高精度低速低功耗12bit4MHzSARADC，已经在0.18umCMOS工艺验证;
3）高精度低速的sigma-deltaADC，从14-24bit，已经在0.5um/0.35um/0.18umCMOS工艺验证;
4）极高速的200MHz6-8bitflashADC，已经在0.18um/0.13umCMOS工艺验证;
5）8/10/12bitDAC，已经在0.35um/0.25um/0.18um/0.13umCMOS工艺验证。
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