电机控制的驱动器采用IR2130芯片。IR2130是一种高电压、高速度的功率MOSFET和IGBT、驱动器，工作电压为10～20 V，分别有3个独立的高端和低端输出通道。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，最小可以达到2．5 V逻辑电压。外围电路中的参考地运行放大器，通过外部的电流检测电位器来提供全桥电路电流的模拟反馈值，如果超出设定或调整的参考电流值，则IR2130 驱动器的内部电流保护电路就启动关断输出通道，实现电流保护的作用。IR2130驱动器反映高脉冲电流缓冲器的状态，传输延迟和高频放大器相匹配，浮动通道能够用来驱动N沟道功率MOSFET和IGBT，最高电压可达到600 V
IR2130芯片可同时控制6个大功率管的导通和关断顺序，通过输出H01～H03分别控制三相全桥驱动电路的上半桥Q1，Q3，Q5导通关断；而 IR2130的输出L01～L03分别控制三相全桥驱动电路的下半桥Q4，Q6，Q2导通关断，从而达到控制电机转速和正反转的目的。IR2130芯片内部有电流比较电路，可以进行电机比较电流的设定。设定值可以作为软件保护电路的参考值，这样可以使电路能够适用于对不同功率电机的控制。IR2130的典型电路如图1所示。
三相全桥逆变电路选用6个功率MOSFETRFP40N10、一片IR2130和一些电阻电容而组成。其主要特点为：
（1）驱动芯片IR2130内置了2．5μs的死区时间；防止同一桥臂的上下两个MOSFET同时导通，使电源电压短路，电源不通过电动机。这避免了功率驱动电路在硬件系统上电瞬间IR2130的误输出。
（2）功率驱动电路采用上桥臂功率MOSFET管进行PWM调制的方式控制。
在调制过程中，自举电容只有在高端器件（上桥臂MOSFET管）关断时，VS的电位被拉到功率地时自举电容才被充电。因此，同一桥臂上的下桥臂器件开通时间（上桥臂器件关断时间）应足够长，以保证自举电容的电荷被充满，当上桥臂开通时维持上桥臂有足够的时间导通。
（3）由于功率驱动电路的上桥臂三路高压侧栅极驱动电源是通过自举电容充电来获得的，因此与IR2130供电电源连接的二极管，其反向耐压必须大于被驱动的功率MOSFET管工作的峰值母线电压。为了防止自举电容两端的放电，二极管要选用高频的快恢复二极管，功率驱动电路选用FR104，它的最大反向恢复时间为150 ns，最大反向耐压400 V
