受到空间的限制，在保证电感量和电感饱和电流的情况下，电感体积越小越好，如果一个电感体积太大，可以考虑用2个电感串联。
■ 所以选择电感量大于0.96mH，并且饱和电流大于IL的电感。
12.续流二极管D4
（1） 最大反向耐压VRRM
当mos管导通时，二极管D4承受的反向耐压为
所以选取反向耐压为600V.
（2） 额定电流Irating
mos管关断后，D4给电感L1提供续流回路，所以通过D4的电流不会超过电感L1饱和电流IL.
（3） 反向恢复时间trr
由于电路工作的频率较高，所以需要反向恢复时间小的超快恢复肖特基，以防止误触发，建议选用trr小于或等于75ns的超快恢复肖特基。
（4） 正向导通压降VF
正向导通压降VF越小，效率越高，尽可能选择正向导通压降小的超快恢复肖特基。
■所以选择反向耐压为600V，额定电流为1A，反向恢复时间小于或等于75ns的超快恢复肖特基。
13.输出电容C9
输出电容的作用是减小LED电流的波动，越大越好，但由于体积的限制，建议选择容值为0.47uF到1uF之间耐压400V为的CBB电容。
14.mos管Q1
（1） mos管耐压VDSS
mos管的最大耐压为交流整流后的电压最大值，留50%的裕量，选取耐压值为
（2） mos管的额定电流IFET
流过mos管的电流取决于最大占空比，本系统最大占空比为50%，所以留过mos管的额定电流为
mos管的额定电流为工作电流3倍时，损耗较小，所以选取mos管的额定电流IFET≥1A.
（3） mos管开启电压Vth
要保证Vth小于芯片的驱动电压，即Vth<11V，由于一般高压mos管的Vth为3~5V，所以这个参数不需要过多考虑。
（4） mos管导通电阻Rdson
mos管的导通电阻Rdson越小，mos管的损耗就越小。
（5） 额定温度
实际工作温度不能超出其额定温度的范围。
■ 所以选择耐压为600V，额定电流大于或等于1A，Rdson较小的mos管。
15.CS取样电阻R4，R7，R8
（1） R4，R7，R8的阻值
设R7，R8串联后再与R4并联的电阻为RCS，输出的电流波动范围为0.3，
则：
选取合适的R4，R7和R8，保证调节R8可以得到需要的输出电流Io，且无论怎样调节R8，Io都不会太大以至于损坏期间。
（2） 电阻类型
RCS上承受的功率为P=I2O×RCS=0.11W ，所以R4，R7采用0805封装的贴片电阻，为了调节R8时输出电流不会变化太快，所以选择R8为精密可调电阻。
