3.3辐射效应加固的建议
由于MEMS加速度计存在绝缘层的充电效应，其绝缘层中的电荷累积会生成感生电场，进而影响梳齿电容的电场分布，从而引起辐射加速度（辐射引入的加速度变量），致使MEMS加速度计输出发生漂移，所以抑制MEMS加速度计的辐射加速度可以从以下几方面考虑：a）从结构上说，可以改变几何设计，移除可移动极板附近的绝缘体或加大绝缘体与极板之间的距离；b）从电荷导出角度说，可以在绝缘体上接入导体，从而达到绝缘体累积电荷消除的效果；c）从材料特性角度说，可以改用正电荷俘获密度更低的绝缘体材料。
4结论
通过上文分析，得出以下认识：MEMS加速度计表头在钴源或质子等辐照下失效机理为绝缘层存在充电效应，产生的正电荷积累影响了加速度计内部电场，随着正电荷的不断积累，最终完全失效；MEMS加速度计总剂量辐照薄弱环节在于体硅CMOS工艺检测电路；现阶段的研究成果表明：中子辐照对硅材料的弹性系数影响极小，即MEMS加速度耐中子辐照；针对MEMS加速度计的绝缘层充电效应，加固建议为：改变几何设计、导出绝缘层氧化物中电荷或采用低电荷俘获密度绝缘体材料。
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