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MEMS,传感技术相关技术文章BSI图像传感器与FSI传感器对比分析
在特定的故障机制中，BSI传感器的寿命比FSI短150-1，000倍。
LFoundry和意大利罗马的Sapienza大学在IEEE电子设备学会期刊上发表了一篇开源论文——“《背面照明配置下CMOS图像传感器的性能和可靠性下降》，作者：AndreaVici，FeliceRusso，NicolaLovisi和AldoMarchioni，安东尼奥·卡塞拉和费尔南达·伊雷拉。
该论文中数据显示，在特定的故障机制中，BSI传感器的寿命比FSI短150-1，000倍。当然，可能还有许多其他故障源掩盖了这一巨大差异。
”我们提出了背面照明的CMOS图像传感器中晶圆级可靠性专用测试结构的系统表征。在制造工艺流程的不同步骤进行的噪声和电学测量结果明确表明，背面照亮配置的晶圆翻转/键合/变薄和VIA开口会导致形成类似氧化物供体的边界陷阱。相对于常规的前侧照明的CMOS图像传感器，这些陷阱的存在会导致晶体管的电性能下降，改变氧化物电场并改变平带电压，并严重降低可靠性。随时间变化的介电击穿和负偏置温度不稳定性测量结果概述了这些边界陷阱对寿命预测的影响。”
“TDDB测量在125℃，N沟道的Tx进行，施加栅极电压应力Vstress为+7.6V.对于每个Vstress几个样品进行了测试，并测量采用所限定的三个标准的时间。击穿在JEDEC标准JESD92中，对于每种应力条件，击穿时间值的Weibull分布的拟合给出了相应的失效时间（TTF）。用功率定律（E模型）推断对数-对数标度和工作栅极电压下的寿命。
NBTI测量是在125℃，p通道Tx上进行的，施加的Vstress为-3至-4V，并多次测试了几个Tx.在这种情况下，遵循JEDEC标准JESD90，寿命定义为使额定VT偏移10％所需的应力时间。VT移位具有与应力时间有关的幂定律，并且可以推断出工作栅极电压下的寿命值。”
