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MEMS,传感技术相关技术文章III族氮化物化合物半导体具有带隙可调的优点
苏州镓敏光电科技有限公司（GaNo Optoelectronics Inc.）创立于2019年，专业研发和生产新一代的高灵敏度紫外探测器件与应用模块，并提供与紫外探测相关的技术咨询与服务。镓敏光电团队以开发国际上性能领先的紫外探测器件为使命，为高灵敏度紫外探测提供完美的解决方案。
镓敏光电致力于研发和生产基于新型宽禁带半导体材料的高性能紫外探测器。宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料，其代表材料包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体，具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点，用于耐高温、高效能的高频大功率器件以及工作于紫外波段的光探测器件，具有显著的材料性能优势。目前，镓敏光电已建成完整的器件工艺线和高标准的器件检测实验室，并在国内首先批量供应多型号高灵敏度GaN和SiC紫外探测器产品。
镓敏光电生产的紫外探测器具有光电流高、暗电流低、响应速度快等系列性能优势，其技术指标已全面超越国外进口产品，具有极高的性价比，可广泛应用于环境监测、紫外固化、工业过程监测、食品卫生、饮用水消毒、和火灾报警等诸多领域。
GaN紫外传感器
氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料，禁带宽度为3.4eV，对应截至波长365nm，对可见光无响应，克服了硅基紫外传感器对可见光有强烈响应，且紫外灵敏度低的缺点，是制备紫外线传感器的理想材料。III族氮化物化合物半导体具有带隙可调的优点，响应波段范围可覆盖可见-紫外波段。GaN紫外传感器具有体积小、灵敏度高、噪声低、抗可见光干扰能力强、功耗低、寿命长等优点。（以下为系列中部分产品）
1、GT-ABC-L
产品介绍：芯片尺寸1 mm2，TO46封装，蓝宝石窗口，高灵敏度，低暗电流，良好可见光盲，响应波长210-370 nm
典型应用：紫外水质检测、医用紫外光谱、紫外消毒灯监控
2、GT-UVC-L
