目前敏感薄膜的材料多采用重掺杂p型硅、Si3N4、单晶硅等。这几种材料都各有优缺点，其选择与目标要求和具体工艺相关。硅膜不破坏晶格，机械性能优异，适于阳极键合形成空腔，从简化工艺的目的出发，本方案选择硅膜。
利用有限元分析软件ANSYS对接触式结构的薄膜工作状态进行了模拟。材料为Si，膜的形状为正方形，边长1000 μm，膜厚5 μm，极板间距10 μm。在1.01105Pa的大气压力下，薄膜中央接触部分及四个边角基本不受应力，四边中央应力最大为1.07 MPa，小于硅的屈服应力7 MPa，其应力分布如图2所示。
整个制造流程都采用标准工艺，如图3所示。先热氧化100 nm的SiO2，既作为腐蚀Si的掩膜，又作为电容两电极的绝缘层。利用各向异性腐蚀形成电容空腔和将来露电极的停刻槽，如果硅片厚度一致且KOH腐蚀速率均匀，此法可以在相当程度上等效于自停止腐蚀。从玻璃上引出电容两电极，然后和硅片进行阳极键合。键合片利用KOH腐蚀减薄后反应离子深刻蚀露出测量电极。
4、 关键工艺
4.1 KOH各向异性腐蚀
在各种各向异性腐蚀方法里面，KOH腐蚀简单实用，成本低廉。在硅片大面积、大深度腐蚀的情况下，KOH腐蚀容易影响硅片表面的形状和光洁度，如何选择合适的溶液配比起着重要的作用。在KOH质量分数为20％～40％，硅片电阻率为0.05 Ω？cm，80℃水浴恒温的条件下，随着KOH浓度的提高，腐蚀表面有着很明显的变化：凸起的小丘逐渐由圆锥变成八棱锥进而变成四棱锥，如图4（a）所示，棱锥高度多为几十微米，底边长一两百微米；提高KOH浓度，小丘消失，出现四棱台，如图4（b）所示，棱台深度多为几个微米，底边长一两百微米；再加大KOH浓度，小坑形状发生变化，完整的四棱台坑几乎消失，多为斜坡状的半四棱台小坑，如图4（c）所示，坡高1～2μm，边长10μm以内。
四棱锥和四棱台的四个斜面对应于腐蚀速率最低的（111）系列晶面。当浓度较低时，（100）和（111）晶面的腐蚀速率比小，所以出现小丘；当浓度增大时，（100）和（111）晶面的腐蚀速率比增大，所以出现小坑；浓度达到一定程度后，（100）和（111）晶面的腐蚀速率比趋于稳定，依然出坑，而（110）和（111）晶面的腐蚀速率比增大，从而产生斜坡。只有调整KOH的浓度，得到匹配的（100）、（110）、（111）晶面的腐蚀速率，才能获得较好的腐蚀表面。试验还表明，温度主要影响腐蚀速率，对硅片腐蚀形貌影响不大。
