650V氮化镓增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）芯片制造的可靠性已全面符合JEDEC标准，采用常关型器件设计，具备低比导通电阻RON ~350mΩ∙mm和优良的品质因数RON·QG~300mΩ·nC。藉由PDK、E-Foundry和MPW服务，可让客户在量产前可充分验证设计。三安集成为客户提供从前期设计支持，到完善的后工序——晶圆减薄、背面金属以及切割和封测。现场展示了一款基于三安集成氮化镓E-HEMT芯片的65W氮化镓快充适配器设计验证样品，体现了三安集成成熟的代工能力。
光技术芯片：激光光源（Source Laser Diodes）和光探测（Photodiodes）器件
从1.25G、10G到25G，从850、940到1310，三安集成提供多种速率、多种波长的激光光源和光探测芯片代工服务，包括高功率VCSEL、高速率VCSEL、DFB、EEL，和光探测芯片MPD、APD、PD、SPD。
针对数据中心AOC、光模块应用，三安集成提供基于成熟的砷化镓技术平台的高速25G VCSEL、DFB芯片组及阵列，并备有多波的CWDM综合方案，搭配三安集成25G 850nm PD或1310nm PD芯片，为客户提供全套的低功耗、极具成本效益的25G收发芯片组合。同时，在3D感测领域，三安集成更以技术专业、服务高效、产能充沛的VCSEL代工服务平台服务广大客户。
三安集成把质量视为企业生命线，以客户需求为中心，为客户创造价值的同时守护客户的知识产权。企业已通过ISO9001国际质量管理体系认证、IATF16949汽车行业质量管理体系认证以及ISO27001信息安全管理认证；身为JEDEC JC-70宽禁带功率半导体标准委员会成员，积极投身国际行业标准制定。三安集成愿将其化合物代工大平台保持开放，迎接多样化的业务合作模式，和客户一同“融合创新 ‘芯’引未来”。
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