“这是迄今为止由新兴纳米技术制成的最先进芯片，可望用于高性能和高能效的计算领域。”上述论文的作者之一Max M. Shulaker表示，他是电气工程和计算机科学（EECS）系Emanuel E Landsman职业发展教授助理，也是微系统技术实验室（Microsystems Technology Laboratories，MTL）的成员。他说， “硅有局限性，如果我们想继续在计算领域取得进展，碳纳米管是最有希望克服这些限制的方法之一。这篇论文彻底改变了我们采用碳纳米管制造芯片的方式。”
购买现成的碳纳米管，将其放在晶圆上，构建电路
这款新的碳纳米微处理器是在之前的迭代设计基础之上开发的。六年前，Shulaker和其他一些研究人员就设计了一款微处理器，由178个CNFET组成并运行在一位数据上。从那时起，Shulaker和他麻省理工学院的同事们解决了生产上的三个具体难题：材料缺陷、制造缺陷和功能问题。
多年来，碳纳米管的固有缺陷一直是“该领域的祸根”，Shulaker说。理想情况下，CNFET需要半导体特性来控制其开和关的导电性，对应于位元1和位元0。不可避免地，一小部分碳纳米管将呈现金属特性，这将减慢或阻止晶体管开关。为了在这种情况下保持鲁棒性（Robust，即稳健性），高级电路将需要纯度约为99.999999%的碳纳米管，而这在今天几乎是不可能生产出来的。
研究人员提出了一种名为DREAM（Designing Resiliency Against Metallic CNTs）的技术，该技术以不会干扰计算的方式对金属碳纳米管进行定位，从而将严格的纯度要求放宽了大约四个数量级，即降低了10，000倍，这意味着只需要纯度约为99.99%的碳纳米管，而这是目前可实现的。
电路设计本质上是利用晶体管构成的不同逻辑门所组成的库，对这些库进行组合即可构建各种逻辑单元，比如加法器和乘法器等，就好像组合字母来创建单词一样。研究人员发现金属碳纳米管对逻辑门的不同组合产生不同的影响。例如，逻辑门A中的单个金属碳纳米管可能会破坏A与B之间的连接，但是逻辑门B中的多个金属碳纳米管可能不会影响A与B之间的任何连接。
在芯片设计中，电路上实现代码的方法有很多。研究人员们通过模拟发现，所有的不同逻辑门组合，不同的组合对金属碳纳米管或具有鲁棒性，或不具有鲁棒性。然后，他们定制芯片设计程序，自动学习最不可能受金属碳纳米管影响的组合。在设计一颗新的芯片时，该程序将仅采用具鲁棒性的组合，同时忽略易受影响的组合。
