今天小编要和大家分享的是EDA,IC设计相关信息，接下来我将从FinFET与平面MOSFET有什么不同，(planar与finfet对比)这几个方面来介绍。
EDA,IC设计相关技术文章FinFET与平面MOSFET有什么不同
大家都在谈论FinFET——可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜（FDSOI）的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言，其未来会怎样呢？
回答这一问题最好的方法应该是说清楚FinFET对于模拟和数字电路设计人员以及SoC设计人员究竟意味着什么。从这些信息中，我们可以推断出FinFET在系统级意味着什么。
FinFET有什么不同？
理论的讨论已经有很多了，这里我们不再重复这些讨论。从电路设计人员的角度看，我们更关心FinFET究竟与平面MOSFET有什么不同。关于这一问题，今年的设计自动化大会（DAC）技术讨论专题为模拟设计人员开辟了新思路。
“采用FinFET进行模拟设计”而不是调侃的说“上帝一定疯了”，这代表了四个专家的观点：代工线代表TSMC的Eric Soenen，Globalfoundries的Richard Trihy、工具专家Synopsys的Navraj Nandra，以及设计经理Freescale的Scott Herrin.讨论集中在新晶体管的电气特性上。
在赞成一方，Herrin指出，FinFET能够以很低的亚阈值泄漏电流实现高增益。
Nandra补充说，“FinFET固有增益很高，但是跨导（gm）实际上很低，和频率（ft）一样。更先进的几何布局比平面器件更容易实现匹配，能够很好的控制晶体管特性。结果是，您可以开发性能更好的电路。而且，还有其他的令人惊奇的地方。例如，输出电流较小，因此，您开发的数据转换器会更小。”
但是也有挑战。Nandra说，gm和gd较低，而栅极泄漏较大，栅极电容要比同样尺寸的平面器件大两倍。正如Soenen所指出的，大家都知道的一点是，FinFET栅极宽度是量化的：圆晶上的每一个晶体管都有相同的标称栅极宽度。因此，习惯于对每一晶体管采用w值的模拟设计人员只能并行采用一组同样的FinFET——实际上，w作为电路参数可以是连续变量，直至一组正整数。
布板问题
通过采用多个最小宽度晶体管来替代宽度可调晶体管，量化会改变布板习惯。Nanda说，例如，Synopsys有一款工具将栅极宽度比例转换为所需的翅片数。但是在另一讨论组的研讨中，Cadence硅片流程副总裁Anirudh Devgan提出了更严重的布板问题。
