在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了｡对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载｡如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电､放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作｡这就是耦合｡
去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰｡
旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径｡高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1μF，0.01μF等，而去耦合电容一般比较大，是10μF或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定｡
去耦和旁路都可以看作滤波｡去耦电容相当于电池，避免由于电流的突变而使
电压下降，相当于滤纹波｡具体容值可以根据电流的大小､期望的纹波大小､作用时间的大小来计算｡去耦电容一般都很大，对更高频率的噪声，基本无效｡旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性｡电容一般都可以看成一个RLC串联模型｡在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其ESR｡如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个V形的曲线｡具体曲线与电容的介质有关，所以选择旁路电容还要考虑电容的介质，一个比较保险的方法就是多并几个电容｡
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声｡数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF｡这个电容的分布电感的典型值是5μH｡0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用｡1μF､10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些｡每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右｡最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感｡要使用钽电容或聚碳酸酯电容｡去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF｡
