图4仿真结果
图4为混频器性能仿真电路,它们分别为转换增益仿真电路、ldB增益压缩仿真电路、单边带噪声仿真电路和混频器交调失真仿真电路。仿真结果表明,电路转换增益为-10.5 dB,噪声系数为20.648 dBm,1 dB压缩点为-5.764dBm,三阶输入交调点为4.807 dBm.达到了设计的目的。
3 结论
本文主要创新是基于TSMC 0.35 μm CMOS工艺,利用改变电路的结构原理.分别降低了跨导级、本振级与输出负载正常工作时所消耗的直流电压降,从而达到混频器低压低功耗应用的目的。
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