听着是不是很随意呢？其实这就是工程中模拟电路的魅惑点所在。因为实际的模拟电路要面临很多的不确定参数的影响（比如，常规使用的电阻都是5%的误差等级的；BJT等半导体器件的参数甚至会有50%以上的偏差；受温度影响，很多参数也会偏）。你辛辛苦苦算出来的精确解，仅一个5%的电阻阻值偏差就可以把结果给带偏。所以，太精确的计算有时并不是很必要，很多计算都可以作简化。那么，究竟对哪些部分可以做简化，哪些部分不作简化呢？这个在很大程度上取决于设计者本人的经验（或者说直觉）。
所以，有时你可以看到在一些不同的模电教材上，对于同样形式的电路，不同的作者会给出稍微有点不同的公式，这个是因为他们各自取的简化点不同。但是，分析原理肯定都是一样的，而且他们的结果也都是可用的。这个随着你本人经验的增长，就会理解他们各自的做法了。
案例3-6-1： 在下图中，计算当β=50和β=200时的IB， IC， VCE，并进行比较。
解： （1）当β=50时：
IC1和IC2只相差2.5倍，说明反馈电阻RE确实改善了电路的稳定性。
另外，当β=200时，VCE2仅比饱和阈值VCESat （0.7V）大一点点，已处于放大区的边缘，还可以勉强工作。若是没有反馈电阻RE，BJT会早早地就进入饱和区，而不能起正常放大作用了。
（3） 饱和条件
当VCE《VCESat时，晶体管进入饱和区。因此，我们可以算出此时的集电极饱和电流ICsat，
当IC》ICsat时，晶体管进入饱和。
关于模拟技术就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。
