打造最好的CIS芯片
早期的CIS芯片从其顶部或前部接收照明。这是让光子通过薄硅层进入传感设备的最明显的方法。但缺点是金属化和其他芯片特性会掩盖部分光线——只有穿过这些障碍物的光线才会被捕捉。
较新的CIS装置在背面发光，没有这样的障碍。当然，这意味着晶圆背面必须变薄，以捕获尽可能多的光子，而不让它们被较厚的晶圆散射和吸收。由于CIS晶片的背面是发光的，所以正面可以与其他晶片结合，而不会影响光的感知。所以通过将图像传感器、内存和其他逻辑功能组合在一个单独的封装中，才能实现新的集成。
然而，这样做需要先进的技术来实现最有效的光捕捉。两个典型的例子：深沟隔离（DTI）和硅通孔（TSV）。
DTI允许像素电路彼此更有效地隔离。当光子进入一个像素时，它们会被散射并四处移动——有可能从它们进入的像素漂移到邻近的像素。当需要高分辨率时，这会产生一种模糊效果，因为像素会相互渗透。DTI有效地在像素之间建立了一堵墙，保持光子的数量，并产生更清晰的图像。
晶粒堆叠赖于TSV。一个Die的正面有所有的金属互连和任何传统的衬底，所以当把两个Die的正面连接在一起时，这些信号可以结合在一起。但是Die的背面没有这些信号。所以，当把一个Die的背面堆叠到一个正面或另一个背面时，必须有某种方法把信号从Die的正面传到Die的背面，这样它们才可以连接起来。TSV是钻穿硅的深层金属“管道”，并起到了这个作用。
DTI和TSV是重要的技术，需要谨慎和精确的流程才能有效。这些技术是Lam比较擅长实现的，随着CIS市场的增长，Lam预计对这些技术的需求将有显著增长。虽然CIS和其他专业技术可能不会像主流技术那样得到持续的关注，但它们对于我们在未来几年将看到并与之交互的系统的有效性来说，同样重要。
责任编辑:pj
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