今天小编要和大家分享的是模拟技术相关信息，接下来我将从英飞凌功率MOSFET产品的参数分析与研究，英飞凌mosfet应用笔记中文版下载这几个方面来介绍。
模拟技术相关技术文章英飞凌功率MOSFET产品的参数分析与研究
在上篇文章中，介绍了功率MOSFET的基本参数Rds（on）、VBR（DSS）、Qgs、和Vgs。为了更深入的理解功率MOSFET的其它一些参数，本文仍然选用英飞凌公司的功率MOSFET为例，型号为IPD90N06S4-04。为了使每个参数的说明更具备直观性和易于理解，所有的表格和图表也是从IPD90N06S4-04中摘录出来的。下面就对这些参数做逐一的介绍。
如果需要更好的理解功率MOSFET，则需要了解更多的一些参数，这些参数对于设计都是十分必要和有用的。这些参数是ID、Rthjc、SOA、Transfer Curve、和EAS。
ID：定义了在室温下漏级可以长期工作的电流。需要注意的是，这个ID电流的是在Vgs在给定电压下， Tc=25℃下的ID电流值。
ID的大小可以由以下的公式计算：
以IPD90N06S4-04为例，计算出的结果等于169A。为何在数据表上只标注90A呢？这是因为最大的电流受限于封装脚位与焊线直径，在数据表的注释1）中可以看到详细的解释。如下表所示：
此外，数据表中还给出了ID和结温之间的曲线关系。从下表中可以看出，当环境温度升高时， ID会随着温度而变化。在最差的情况下，需要考虑在最大环境温度下的ID的电流仍然满足电路设计的正常电流的要求。
Rthjc：设计者需要非常关注的设计参数，特别是当需要计算功率MOSFET在单脉冲和不同占空比时的功率损耗时，就需要查看这个数据表来进行设计估算。笔者将在如何用数据表来进行设计估算中来具体解释。
