3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。
三、CMOS电平接口
我们对它也不陌生，也是经常和它打交道了，一些关于CMOS的半导体特性在这里就不必啰嗦了。许多人都知道的是，正常情况下CMOS的功耗和抗干扰能力远优于TTL。但是鲜为人知的是，在高转换频率时，CMOS系列实际上却比TTL消耗更多的功率。
由于CMOS的工作电压目前已经可以很小了，有的FPGA内核工作电压甚至接近1.5V，这样就使得电平之间的噪声容限比TTL小了很多，因此更加加重了由于电压波动而引发的信号判断错误。
众所周知，CMOS电路的输入阻抗是很高的，因此，它的耦合电容容量可以很小，而不需要使用大的电解电容器了。由于CMOS电路通常驱动能力较弱，所以必须先进行TTL转换后再驱动ECL电路。
此外，设计CMOS接口电路时，要注意避免容性负载过重，否则的话会使得上升时间变慢，而且驱动器件的功耗也将增加（因为容性负载并不耗费功率）。
四、COMS电路的使用注意事项
1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
2）输入端接低内阻的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。
3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。
4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。
五、CMOS的趋势
进入2000年后，电子电路低电压化的步伐加快了。这与电子设备的信号处置从模仿向数字转移有亲密的关系。像CG（ComputerGraphic，计算机图形）那样，进一步以高速度、高密度（3D，MPEG2，5.lch环绕平面声等）、而且用电池驱动的笔记本电脑停止编辑、阅览。像数码照相机（百万像素&长时间电池）那样，请求更低的功率耗费。
从这种市场意向和半导体厂家的高集成度、高附加值两个角度看，都请求器件的微细化、低电压化。表13.4列出了包括EIA／JEDEC依然在审议中的电源电压范围的规范化意向。低电压化业已进入1.0V系电源。
表13.5列出其输入电压规格（接口规格）的意向，到3.3V系（或者3.0V系）电源电压，都是VIL=0.8V、VIH=2.0V就是说以维持TTL电平的“LVTTL”（LV：LowVoltage）作为输入电压规格规范，在TTL习气运用的信息、通讯范畴运用着。不过在电源电压进一步降低后，VIL，和VIH的规格就只能采用CMOS电平规范。 图13.6形象地表现出电源电压和高速化的关系。TTL运用在以5V工作为中心的高速应用范畴，3V系的应用被合适于Bi-CMOS技术的低电压型（LVTTL）掩盖。TTL/LVTTL的电路阈值设计大约是1.4V，输入“L”/“H”的电压规格是0.8V/2.0V。
