今天小编要和大家分享的是光电显示相关信息，接下来我将从掩模工艺中硬烘培的操作方法及显影检验，从晶圆到芯片,要经历清洗,氧化,光刻,显影, 刻蚀,扩散,离子注入这几个方面来介绍。
光电显示相关技术文章掩模工艺中硬烘培的操作方法及显影检验
硬烘培
硬烘培是在掩模工艺中的第二个热处理操作。它的作用实质上和软烘培是一样的，通过溶液的蒸发来固化光刻胶。然而，对于硬烘培，其唯一的目标是使光刻胶和晶圆表面有良好的黏结，这个步骤有时称为刻蚀前烘培。
硬烘培的方法
硬烘培是在设备和方法上与软烘培相似。对流炉、在线及手动热板、红外线隧道炉、移动带传导炉和真空炉都用于硬烘培。对于自动生产线，轨道系统受到青睐。
硬烘培工艺
硬烘培的时间和温度的选取与在软烘培工艺中是相同的。起始点是由光刻胶制造商推荐的工艺。之后，工艺被精确调整，以达到黏结和尺寸控制的要求。一般使用对流炉的硬烘培的温度是从130℃~200℃进行30分钟。对于其他方法，时间和温度有所不同。设定最低温度使光刻胶图案边缘和晶圆表面达到良好黏结。热烘培增强黏结的机理是脱水和聚合。加热使水分脱离光刻胶，同时使之进一步聚合，从而增强了其耐刻蚀性。
硬烘培温度的上限以光刻胶流动点而定。光刻胶有像塑料的性质，当加热时会变软并可流动。当光刻胶流动时，图案尺寸便会改变。当在显微镜下观察光刻胶流动时，将会明显增厚光刻胶边缘。极度的流动会在沿图案边缘处显示出边缘线。边缘线是光刻胶流动后在光刻胶中留下的斜坡而形成的光学作用。
硬烘培是紧跟在显影后或马上再开始刻蚀前来进行的。在大多数生产情况中，硬烘培是由和显影机并排在一起的隧道炉完成的。当使用此种操作规程时，把晶圆存放在氮气中或是立即完成检验步骤以防止水分重新被吸收到光刻胶中，这一点非常重要。
工艺过程中的一个目标是有尽可能多的共同工艺。对于硬烘培工艺来说，由于各种晶圆表面的不同黏结性质有时会给工艺带来困难。更加困难的表面，如铝和掺杂磷的氧化物，有时要经高温硬烘培或在即将要刻蚀之前对其在对流炉中进行二次硬烘培。
