1 、输入滤波
保险丝F1在元件发生故障时提供保护，而RV1用来对差模浪涌测试期间可能产生的最大电压进行箝位。RV1的额定电压为275 VAC，略高于最大指定工作电压265 VAC。二极管桥堆BR1对AC线电压进行整流，电容C2为初级开关电流提供低阻抗通路（去耦）。为使功率因数保持在0.9以上，需要确保较低的电容（C1、C2和C11总和）值。EMI滤波功能由电感L1-L3、C1和有Y1安全要求的C7提供。L1和L2两端的电阻R16和R17可抑制输入电感、电容和AC输入阻抗之间在传导EMI测量中通常出现的共振。
2、LinkSwitch-PH初级
变压器（T1）一端连接到DC总线，另一端连接到LinkSwitch-PH的漏极引脚。在MOSFET的导通时间内，初级绕组中的电流升高，存储的能量随后在MOSFET关断时间内传送到输出。选择RM8磁芯，因为它在板上占用的面积很小。由于骨架达不到230 VAC工作条件下的6.2 mm的安全爬电距离要求，因此使用飞线将次级绕组端接到PCB板中。
为使U1得到峰值输入电压信息，AC输入整流后经由D2对C3充电。然后电流经过R2和R3，注入U1的V引脚。电阻容差将会导致不同电源之间的V引脚电流有所差异，因此选择1%误差的电阻可以将这种变化降至最低。器件也会利用V引脚电流来设置输入过压和欠压保护阈值。欠压保护可确保不同电源在相同的输入电压下启动，过压保护可使整流后的线电压承受能力（在浪涌和线电压陡升期间）达到内部MOSFET的额定725 BVDSS。电阻R1为C3提供放电通路，时间常数远大于经整流AC的放电时间，以防止V引脚电流被线电压频率所调制。
V引脚电流和FB引脚电流在内部用来控制LED平均输出电流。对于相位角调光应用，可在R引脚（R4）和V引脚上分别使用49.9 kΩ电阻和4 MΩ （R2+R3）电阻，使输入电压和输出电流保持线性关系，从而获得最大调光范围。电阻R4还设置内部的线电压输入升高、降落和输入过压保护阈值。
在MOSFET导通期间，由于漏感的影响，二极管D3和VR1将漏极电压箝位到一个安全水平。在C2上的电压降到反向输出电压（VOR）以下时，需要使用二极管D4来防止反向电流流经U1。选择肖特基势垒二极管来减少此元件中的损耗并提高效率，也可使用超快速PN型二极管（UF54002）代替，从而降低成本。
二极管D6、C5、R7和R8构成初级偏置供电，能量来自变压器的辅助绕组。电容C4对U1的BP引脚进行局部去耦，该引脚是内部控制器的供电引脚。在启动期间，与漏极引脚相连的内部高压电流源将C4充电至约6 V。此时器件开始开关，器件的供电电流再由偏置供电经过R5提供。二极管D5隔离BP引脚和C5，以防止启动时间由于对C4和C5的充电而延长。建议使用外部偏置供电（通过D5和R5）以实现最低的器件功耗和最高的效率，尽管这些元件如果需要的话可以省去。这种自供电能力可提供更好的相位角调光性能，因为在输入导通相位角很小而导致等效输入电压较低时，IC仍然能够保持正常工作。电容C4同时用来选择输出功率模式，选择10 μF（低功率模式）可以将器件功耗减至最低，降低对散热片的要求。
