内存确定了行之后，要想找出数据，还得确定列。那么时序的第一个数字，也就是CL（CAS），表示内存确定了行数之后，还得等待多长时间才能访问具体列数的时间（时间周期）。
行列必然产生交点，也就是说确定了行数和列数之后，就能准确找到目标数据，所以CL是一个准确的值，任何改动都会影响目标数据的位置，所以它在时序当中是最关键的一个参数，对内存性能的发挥着举足轻重的作用。
内存时序的第三个参数tRP，就是如果我们已经确定了一行，还要再确定另外一行所需要等待的时间（时间周期）。
然后第四个参数tRAS，可以简单理解成是留个内存写入或者读取数据的一个时间，它一般接近于前三个参数的总和。
所以，在保障稳定性的前提下，内存时序越低越好。
那么，时序对内存性能影响有多大呢？
我们做了一个测试，在保持内存频率不变的情况下，内存性能随着时序的变小而不断变强。
不过相比之下，时序改变后，内存延迟的变化比内存读写速度的变化更加明显，这也说明了时序的影响侧重在延迟方面。
现在，关于时序，你搞懂了吗？
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