然而1Z纳米技术并不是美光规划的产品路线图的尽头。据报道，美光将计划引入至少四种以上的10nm级制造工艺：1Z、1α、1β和1γ，从而使其10nm级制造工艺总数超过6种。
目前，美光正在加大其第二代10nm级制造工艺（即1Y nm）的使用规模，该工艺用于制造美光的各种产品，包括12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4和12Gb LPDDR5存储器件。下一代1Z nm将用于生产16Gb LPDDR5存储器件以及DDR5存储器件，1Z nm节点后，美光计划开始使用1αnm和1βnm制造技术，并同时为1γnm技术的可行架构寻找路径。
SK海力士目前主要是提高第三代10nm级（1Znm）工艺量产16Gb DDR4，且积极拓展到LPDDR5和HBM2E市场，计划在2020年大规模量产。在今年的CES 2020上，SK海力士展示的LPDDR5芯片频率已达5500MHz，远远高于LPDDR4X-4667，而且功耗更低。
因此，从上述三家的DRAM技术发展路线来看来看，从2019下半年开始，三大原厂均已陆续进入1Znm DRAM技术阶段，到2020年，量产的单颗Die容量可达到16GB，未来基于基于8颗封装量产型16GB芯片进一步提高容量并非遥不可及。
产能方面，除三星正在考虑从2020年开始将12GB LPDDR5转移到Pyeongtaek工厂生产外。美光将计划对广岛工厂B2楼进行第二阶段投资，即建设F栋制造工厂用于量产1Znm工艺之后的1α、1β技术。相信随着美光和SK海力士在2020年产能的逐渐放量，LPDDR5商用加速的步伐会更加迅速。
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