今天小编要和大家分享的是存储技术相关信息，接下来我将从通过利用FM18L08铁电存储器实现实时数据采集和记录系统的设计，一种flash存储器数据存储方法和读取方法与流程这几个方面来介绍。
存储技术相关技术文章通过利用FM18L08铁电存储器实现实时数据采集和记录系统的设计
在一些需要下位机单独工作的特殊场合（如民用“黑匣子”装置和军用弹载测试设备等），其数据的高速存储和掉电不丢失特性就显得非常关键。铁电存储器（ＦＲＡＭ）是Ｒａｍｔｒｏｎ公司近年来推出的一种与ＳＲＡＭ相似但却具有非易失性的随机存储器，它没有ＢＳＲＡＭ模组系统的设计复杂性和相关的数据可靠性问题，而且能在掉电的情况下保存数据。ＦＲＡＭ不但克服了ＥＥＰＲＯＭ和ＦＬＡＳＨ写入时间长、擦写次数低的缺点，同时其成本也比相同容量的锂电池＋ＳＲＡＭ方案低很多。
１、ＦＭ１８Ｌ０８的特点和引脚功能
ＦＭ１８Ｌ０８的存储容量为３２ｋ８ｂｉｔｓ，其主要特点如下：
●采用３．０～３．６５Ｖ单电源供电；
●带有并行接口；
●提供有ＳＯＩＣ和ＤＩＰ两种封装；
●功耗低，静态电流小于１５μＡ，读写电流小于１０ｍＡ；
●掉电后数据能保存１０年；
●可读写无限次。
ＦＭ１８Ｌ０８的引脚排列如图１所示。各引脚的功能如下：
ＣＥ：片选端；
ＷＥ：写使能端；
ＯＥ：输出使能端口；
Ａ０～Ａ１４：地址端；
ＤＱ０～ＤＱ７：数据端；
ＶＤＤ：电源；
ＶＳＳ：接地端。
２、ＦＭ１８Ｌ０８的存储特性
ＦＭ１８Ｌ０８是并口操作存储器，其内存组织结构为３２ｋ８，可通过工业标准并行接口界面进行访问。所有写入器件的数据没有任何延时并具有非易失性，它的读、写时序分别如图２和图３所示。
由于并口ＦＲＡＭ一般在片选信号ＣＥ的下降沿锁存地址信息，因此地址总线在内存访问开始后即可改变，既然每次内存访问都需要片选信号的下降沿锁存地址信息，那么就不能像ＳＲＡＭ一样将ＣＥ管脚接地。因此，在使用ＦＲＡＭ时必须检查内存控制器以保证地址及控制管脚的时序的兼容，任何内存访问都必须有一个ＣＥ 下降沿。图４给出了ＦＲＡＭ和ＳＲＡＭ在地址锁存方面的区别。
