今天小编要和大家分享的是存储技术相关信息，接下来我将从KIOXIA铠侠已经继承东芝存储器的衣钵,并将其继续发扬光大，nvme的优势,三星970evo固态硬盘的速度竟如此惊人这几个方面来介绍。
存储技术相关技术文章KIOXIA铠侠已经继承东芝存储器的衣钵,并将其继续发扬光大
铠侠拥有全方位的存储产品阵容，面向个人消费者的产品包括SATA和NVMe固态硬盘、microSD和SD存储卡、USB闪存盘等。
即便抛开手机和电脑，当代人的一生依然离不开闪存。这项东芝在上世纪80年代的发明已经成为举足轻重的电子元件。现在，KIOXIA铠侠已经继承东芝存储器的衣钵，并将其继续发扬光大。
NOR闪存和NAND闪存
我们平时讨论的闪存通常是指1987年问世的NAND型号闪存，NOR型闪存问世于更早的1984年。当时闪存并非唯一的电子存储器，在此之前还有EPROM和EERPOM等类似元件， NOR闪存也属于广义上的EEPROM（电可擦编程只读存储器），但NOR闪存凭借更低成本和更高容量取代了后者。
出现较晚的NAND闪存则进一步增强了低成本和大容量优势，成为手机、固态硬盘等电子产品的理想存储介质。除了常见数码和IT产品之外，铠侠还提供可供5G、物联网、人工智能以及自动驾驶应用的UFS及eMMC芯片，它们同样基于NAND闪存，并搭载有智能闪存控制器。
NAND闪存发展和3D闪存的问世
通过制程微缩和MLC技术，闪存的每个存储单元体积变得更小、每个存储单元中可容纳的数据则越来越多，存储密度不断发展，推进闪存从工业到家庭应用的普及。
不过发展到10z nm工艺和3bit per cell以后，由于物理大小的限制，已经无法通过传统的方式继续提高闪存密度。东芝在2007年宣布了三维（3D）闪存层叠技术，并在后来推出3D闪存：BiCS Flash。
BiCS闪存具有高密度大容量的优点。由于闪存单元之间的空间远大于传统2D闪存，减少了单元间耦合效应，BiCS闪存的可靠性比过去更高。由于支持单次编程序列，BiCS闪存的写入速度更快、使用功耗更低。
通过提高堆叠层数，3D闪存可以获得稳步的容量增长，2017年6月28日发布的96层BiCS FLASH在单位面积内可以提供的存储容量大约是64层BiCS FLASH的1.4倍。使得超过1TB容量的固态硬盘价格落入大众玩家可以承受的水平。
铠侠存储产品阵容
铠侠拥有全方位的存储产品阵容，面向个人消费者的产品包括SATA和NVMe固态硬盘、microSD和SD存储卡、USB闪存盘等。
