普渡大学电气和计算机工程博士后研究员Mengwei Si构建并测试了该晶体管，发现其性能可与现有的铁电场效应晶体管相媲美，并表示通过一步优化性能还会更好。普渡大学电气与计算机工程助理教授Sumeet Gupta，获得博士学位的Atanu Saha对建模提供了支持。
Si和Ye的团队还与佐治亚理工学院的研究人员合作，将α-硒化铟建立在称为铁电隧道结的芯片空间中，工程师可以利用该空间来增强芯片的功能。该团队在12月9日在2019 IEEE国际电子设备会议上介绍了这项研究工作。过去，研究人员无法建立高性能的铁电隧道结，因为它的宽带隙使材料太厚，无法通过电流。由于α-硒化铟的带隙小得多，因此该材料的厚度仅为10纳米，从而可以允许更多的电流流过。
更大的电流可以让芯片的面积缩小至几纳米，从而使芯片的晶体管密度更高、更节能。Ye补充表示，较薄的材料-甚至可以减小到原子的厚度，也意味着隧道结两侧的电极可以小得多，这对于构建模拟人脑的电路非常有用。
（责任编辑：fqj）
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