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存储技术相关技术文章联芸成功实现基于4K LDPC纠错的第三代Agile ECC 3闪存信号处理技术的开发和验证 可极大延长NAND的使用寿命
追求存储密度以降低存储成本不断推动着NAND闪存技术的发展。NAND闪存技术已经从最初的SLC时代,跨越MLC、TLC向QLC时代快速演进,并且从最初的2D平面技术全面切换到3D堆叠技术。而3D NAND闪存技术也从最初的32层堆叠,发展到了目前最新一代的高达128层堆叠。
随着NAND存储密度不断提高,SSD主控芯片的纠错码(ECC)设计面临着极大挑战。一方面,伴随着NAND存储密度提高,闪存的数据可靠性严重恶化,SSD主控芯片的ECC技术也完成了从最初的BCH技术向先进的LDPC纠错技术的全面迁移。特别是进入QLC时代之后,NAND闪存存储介质需要SSD主控芯片进一步提供更高的错误比特纠正能力。另一方面,具有高纠错能力的先进LDPC纠错技术设计复杂度高,带来了主控芯片功耗的急剧上升,给SSD系统稳定性带来了极大隐患。而且LDPC复杂的解码过程,特别是软解码,会大量占用闪存数据带宽,从而降低SSD用户实际使用性能,还会严重恶化数据读写延时,带来极差的用户体验。因此,为了适应NAND闪存技术的发展,ECC纠错技术研究一直是SSD主控芯片厂商核心竞争力之一。
图1:4K LDPC极大延长NAND使用寿命
联芸的Agile ECC技术是基于先进ECC的NAND闪存信号处理技术,能大大提升闪存数据的可靠性并极大延长SSD的寿命。近日,联芸科技在基于2K LDPC纠错的 Agile ECC 2技术基础上进行二次技术创新,成功实现了基于4K LDPC纠错的第三代Agile ECC 3闪存信号处理技术的开发和验证。据联芸科技高管表示,联芸科技即将推出的新一代SSD主控芯片将全面启用4K LDPC纠错技术,这也是国内SSD主控芯片厂商第一次实现该技术的连续突破,从最初的技术跟随到实现技术超越的一次蜕变,必将引领SSD主控芯片技术创新发展,未来4K LDPC纠错技术必将成为SSD主控芯片必备的关键核心技术。