与其他eMRAM解决方案不同，我们构建的GFs 22FDX MRAM是eMRAM和Flashvery有很强的鲁棒性能，工作温度在-40C-125C，高耐久性和长数据保存期，并且通过了5项严格的实际(5x)焊料回流测试，同时保持了领先的磁抗能力。GF eMRAM与eFLASH非常相似——只是更好，与传统的嵌入式Flash技术相比，它具有更快的读写时间和更少的掩模计数。
他们正在与多家客户合作，计划在2020年使用22FDX的生产就绪的eMRAM新技术进行多台生产。GF在德国德累斯顿的第一工厂拥有最先进的300mm生产线，将为这些项目提供量产支持。他们还报告了定制的设计套件，包括嵌入式，范围从4兆到48兆比特的硅验证的MRAM宏，以及MRAM内置自测试支持的选项。
展望未来，作为公司高级eNVM路线图的一部分，GF希望其可扩展的eMRAM可以在FinFET和未来的FDX平台上使用。如果你需要一个低于28nm的eFlash选择，这绝对是值得考虑的。
（责任编辑：fqj）
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